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Effects of Substrate Temperature on the Growth of Polycrystalline Si Films Deposited with SiH4+Ar 期刊论文
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE & TECHNOLOGY, 2009, 卷号: 25, 期号: 4, 页码: 489-491
作者:  Cheng, Hua;  Wu, Aimin;  Xiao, Jinquan;  Shi, Nanlin;  Wen, Lishi
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Poly-Si films  ECR-PECVD  Substrate temperature  Ar-dilution  
Effects of Substrate Temperature on the Growth of Polycrystalline Si Films Deposited with SiH(4)+Ar 期刊论文
Journal of Materials Science & Technology, 2009, 卷号: 25, 期号: 4, 页码: 489-491
作者:  H. Cheng;  A. M. Wu;  J. Q. Xiao;  N. L. Shi;  L. S. Wen
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Poly-si Films  Ecr-pecvd  Substrate Temperature  Ar-dilution  Chemical-vapor-deposition  Ar-diluted Sih4  Microcrystalline Silicon  Optical-properties  h Films  Plasma  Pecvd  Hydrogen  Silane