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Enhanced memristor performance via coupling effect of oxygen vacancy and ferroelectric polarization 期刊论文
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE & TECHNOLOGY, 2024, 卷号: 171, 页码: 139-146
作者:  Yue, Zhi Yun;  Zhang, Zhi Dong;  Wang, Zhan Jie
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2024/01/08
Ferroelectric memristor  Ca -doped PZT  Ferroelectric polarization  Oxygen vacancies  Resistive switching