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Atomic-Scale Insights into the Interfacial Polarization Effect in the InGaN/GaN Heterostructure for Solar Cells 期刊论文
ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2022, 页码: 8
作者:  Hao, Xiaodong;  Zhang, Xishuo;  Sun, Benyao;  Yin, Deqiang;  Dong, Hailiang;  Wang, Jiahui;  Huang, Biao;  Xu, Yang;  Shan, Hengsheng;  Ma, Shufang;  Chen, Chunlin;  Xu, Bingshe
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polarization charge effect  built-in electric field  p-n junction  semipolar InGaN  GaN interface  first principles calculation  
Origin of Yellow-Band Emission in Epitaxially Grown GaN Nanowire Arrays 期刊论文
Acs Applied Materials & Interfaces, 2014, 卷号: 6, 期号: 16, 页码: 14159-14166
作者:  B. D. Liu;  F. Yuan;  B. Dierre;  T. Sekiguchi;  S. Zhang;  Y. K. Xu;  X. Jiang
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Gan  Nanowire Arrays  Epitaxial Growth  Interface  Yellow-band Emission  Vapor-phase Epitaxy  Gallium Nitride  Spatial-distribution  Luminescence  Carbon  Cathodoluminescence  Microstructure  Nanodevices  Fabrication  Mechanism  
Experimental study of the organic light emitting diode with a p-type silicon anode 期刊论文
Thin Solid Films, 2006, 卷号: 496, 期号: 2, 页码: 665-668
作者:  G. L. Ma;  A. G. Xu;  G. Z. Ran;  Y. P. Qiao;  B. R. Zhang;  W. X. Chen;  L. Dai;  G. G. Qin
收藏  |  浏览/下载：105/0  |  提交时间：2012/04/14
Silicon Oxide  Organic Light Emitting Diode  Electrical Properties And  Measurement  Silicon Anode  Conjugated Oligomer Film  Porous Silicon  Interface  Devices  Electroluminescence  Performance  Electrodes  Growth  Oxide  Gan