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Atomic-Scale Insights into the Interfacial Polarization Effect in the InGaN/GaN Heterostructure for Solar Cells 期刊论文
ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2022, 页码: 8
作者:  Hao, Xiaodong;  Zhang, Xishuo;  Sun, Benyao;  Yin, Deqiang;  Dong, Hailiang;  Wang, Jiahui;  Huang, Biao;  Xu, Yang;  Shan, Hengsheng;  Ma, Shufang;  Chen, Chunlin;  Xu, Bingshe
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polarization charge effect  built-in electric field  p-n junction  semipolar InGaN  GaN interface  first principles calculation  
Pyramidal dislocation induced strain relaxation in hexagonal structured InGaN/AlGaN/GaN multilayer 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2012, 卷号: 112, 期号: 8
作者:  P. F. Yan;  K. Du;  M. L. Sui
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Quantum-well Structures  Light-emitting-diodes  Deformation Mechanisms  Metallic Multilayers  Thin-films  Misfit Dislocations  Ingan Epilayers  Composites  Interfaces  Gan  
InGaN/GaN multiple quantum well solar cells with an enhanced open-circuit voltage 期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2011, 卷号: 20, 期号: 2, 页码: 4
作者:  Zhang Xiao-Bin;  Wang Xiao-Liang;  Xiao Hong-Ling;  Yang Cui-Bai;  Hou Qi-Feng;  Yin Hai-Bo;  Chen Hong;  Wang Zhan-Guo
收藏  |  浏览/下载：83/0  |  提交时间：2021/02/02
InGaN  solar cell  multiple quantum wells  
InGaN/GaN multiple quantum well solar cells with an enhanced open-circuit voltage 期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2011, 卷号: 20, 期号: 2, 页码: 4
作者:  Zhang Xiao-Bin;  Wang Xiao-Liang;  Xiao Hong-Ling;  Yang Cui-Bai;  Hou Qi-Feng;  Yin Hai-Bo;  Chen Hong;  Wang Zhan-Guo
收藏  |  浏览/下载：121/0  |  提交时间：2021/02/02
InGaN  solar cell  multiple quantum wells