中文版 | English

在结果中检索

IMR OpenIR

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助

已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
CONTROLLING THE SCHOTTKY-BARRIER HEIGHT OF TI/N-GAAS SCHOTTKY DIODE CONTAINING HYDROGEN BY BIASED ANNEALING 期刊论文
Science in China Series a-Mathematics Physics Astronomy, 1994, 卷号: 37, 期号: 6, 页码: 730-737
作者:  S. X. Jin;  M. H. Yuan;  L. P. Wang;  H. Z. Song;  H. P. Wang;  G. G. Qin
收藏  |  浏览/下载：72/0  |  提交时间：2012/04/14
Schottky Barrier (Sb)  Metal-semiconductor (Ms) Interfaces  Hydrogen  Zero Bias Annealing (Zba)  Reverse Bias Annealing (Rba)  Unified Defect Model  Crystalline Semiconductors  States  
EFFECT OF REVERSE-BIAS ANNEALING AND ZERO-BIAS ANNEALING ON A HYDROGEN-CONTAINING AU/(N-TYPE GAAS) SCHOTTKY-BARRIER 期刊论文
Physical Review B, 1993, 卷号: 48, 期号: 24, 页码: 17986-17994
作者:  M. H. Yuan;  H. Z. Song;  S. X. Jin;  H. P. Wang;  Y. P. Qiao;  G. G. Qin
收藏  |  浏览/下载：100/0  |  提交时间：2012/04/14
Metal-semiconductor Interfaces  Electrical-properties  110 Surfaces  N-type  States  Diodes  Contacts  Height  Model  Heterojunctions