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Preparation of arsenic-doped Ge nanocrystals embedded in SiO2 film by ion implantation and thermal neutron irradiation
期刊论文
Materials Letters, 2008, 卷号: 62, 期号: 21-22, 页码: 3617-3619
作者:
S. B. Dun
;
T. C. Lu
;
Y. W. Hu
;
Q. Hu
;
C. F. You
;
N. K. Huang
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提交时间:2012/04/13
Luminescence
Nanocomposites
Surfaces
Neutron Transmutation Doping
Xps
Tem
Photoluminescence
Luminescence
Semiconductors
Mechanism
Matrices
Defects
Photoluminescence study of Ge nanocrystals irradiated by reactor neutron flux
期刊论文
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B-Beam Interactions with Materials and Atoms, Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B-Beam Interactions with Materials and Atoms, 2007, 2007, 卷号: 264, 264, 期号: 2, 页码: 272-276, 272-276
作者:
S. B. Dun
;
T. C. Lu
;
Q. Hu
;
Y. W. Hu
;
C. F. You
;
S. B. Zhang
;
B. Tang
;
J. L. Dai
;
N. K. Huang
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提交时间:2012/04/13
Ge Nanocrystals
Ge Nanocrystals
Neutron Transmutation Doping
Neutron Transmutation Doping
Photoluminescence
Photoluminescence
Raman
Raman
Scattering
Scattering
Doped Si Nanocrystals
Doped Si Nanocrystals
Electron-spin-resonance
Electron-spin-resonance
Semiconductor
Semiconductor
Nanocrystals
Nanocrystals
N-type
N-type
Implanted Sio2-films
Implanted Sio2-films
Silicon Nanocrystals
Silicon Nanocrystals
Porous
Porous
Silicon
Silicon
Raman
Raman
Luminescence
Luminescence
Temperature
Temperature
The Raman spectroscopy of neutron transmutation doping isotope (74)Germanium nanocrystals embedded in SiO2 matrix
期刊论文
Solid State Communications, 2007, 卷号: 141, 期号: 9, 页码: 514-518
作者:
Y. W. Hu
;
T. C. Lu
;
S. B. Dun
;
Q. Hu
;
N. K. Huang
;
S. B. Zhang
;
B. Tang
;
J. L. Dai
;
L. Resnick
;
I. Shlimak
;
S. Zhu
;
Q. M. Wei
;
L. M. Wang
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提交时间:2012/04/13
Isotope Ge Nanocrystals
Transmuted Impurities
Laser Raman Scattering
Neutron Transmutation Doping
Visible Photoluminescence
Semiinsulating Gaas
Hopping Conduction
Thin-films
Scattering
Germanium
Sio2-films
Plasmons
Phonons
Growth