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Study on high-temperature performances of 1.3-mu m InGaAsP-InP strained multiquantum-well buried-heterostructure lasers 期刊论文
Ieee Photonics Technology Letters, 2005, 卷号: 17, 期号: 2, 页码: 276-278
作者:  J. Y. Jin;  J. Shi;  D. C. Tian
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Cavity Length  High-temperature Performance  Multiquantum-well (Mqw)  Output Power Degradation  Semiconductor Lasers  Stripe Width  Efficiency  Mode  
Study on the effects of well number on temperature characteristics in 1.3-mu m InGaAsP-InP quantum-well lasers 期刊论文
Infrared Physics & Technology, 2004, 卷号: 45, 期号: 3, 页码: 209-215
作者:  J. Y. Jin;  D. C. Tian;  J. Shi;  T. N. Li
收藏  |  浏览/下载：105/0  |  提交时间：2012/04/14
Movpe  Ingaasp/ingaasp Sl-mqw  Well Number  Characteristic Temperature  Semiconductor Lasers  Semiconductor-lasers  Dfb Laser  Operation  Amplifiers  Design  Gain