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Effect of Ar on Polycrystalline Si Films Deposited by ECR-PECVD using SiH4 期刊论文
Journal of Materials Science & Technology, 2008, 卷号: 24, 期号: 5, 页码: 690-692
作者:  H. Cheng;  A. M. Wu;  N. L. Shi;  L. S. Wen
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Ar Flow Rate  Ecr-pecvd  Poly-si  Thin Films  Chemical-vapor-deposition  Microcrystalline Silicon  Low-temperatures  Plasma  Growth  Transition  Hydrogen  
Influence of phosphine flow rate on Si growth rate in gas source molecular beam epitaxy 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 461-465
作者:  Gao, F;  Huang, DD;  Li, JP;  Lin, YX;  Kong, MY;  Sun, DZ;  Li, JM;  Lin, LY
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Si growth rate  P doping  PH3 flow rate  P segregation  GSMBE  
Influence of phosphine flow rate on Si growth rate in gas source molecular beam epitaxy 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 461-465
作者:  Gao, F;  Huang, DD;  Li, JP;  Lin, YX;  Kong, MY;  Sun, DZ;  Li, JM;  Lin, LY
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Si growth rate  P doping  PH3 flow rate  P segregation  GSMBE  
Microstructure and mechanical properties of in situ Al-Mg(2)Sicomposites 期刊论文
Materials Science and Technology, 2000, 卷号: 16, 期号: 7-8, 页码: 913-918
作者:  J. Zhang;  Z. Fan;  Y. Q. Wang;  B. L. Zhou
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Intermetallic Mg2si-al Alloys  Strain-rate Superplasticity  Centrifugal  Method  Tensile-strength  Al Alloy  Composites  Solidification  Gradient  Silicon  Growth  
A numerical model for spacing selection of lamellar eutectics grown from flowing liquids 期刊论文
Journal of Crystal Growth, 1998, 卷号: 194, 期号: 2, 页码: 263-271
作者:  W. Q. Zhang;  H. Fu;  Y. S. Yang;  Z. Q. Hu
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Eutectic  Lamellar Spacing  Fluid Flow  Model  Growth Rate  Undercooling  Rapid Solidification Conditions  Irregular Eutectics  Forced-convection  Pb-sn  Al-si  Systems  Alloys