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C and Si ion implantation and the origins of yellow luminescence in GaN 期刊论文
Applied Physics a-Materials Science & Processing, 2004, 卷号: 79, 期号: 1, 页码: 139-142
作者:  L. Dai;  G. Z. Ran;  J. C. Zhang;  X. F. Duan;  W. C. Lian;  G. G. Qin
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Detected Magnetic-resonance  Vapor-phase Epitaxy  Undoped Gan  Photoluminescence  Vacancies  Nitrides  
Effects of Si ion implantation and post-annealing on yellow luminescence from GaN 期刊论文
Physica B-Condensed Matter, 2002, 卷号: 322, 期号: 1-2, 页码: 51-56
作者:  L. Dai;  J. C. Zhang;  Y. Chen;  G. Z. Ran;  G. G. Qin
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Photoluminescence  Yellow Luminescence  Ion implantatIon  Gan  Detected Magnetic-resonance  Vapor-phase Epitaxy  Laser-diodes  Undoped  Gan  Photoluminescence  Vacancies  Layers  Origin