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Origin of Yellow-Band Emission in Epitaxially Grown GaN Nanowire Arrays 期刊论文
Acs Applied Materials & Interfaces, 2014, 卷号: 6, 期号: 16, 页码: 14159-14166
作者:  B. D. Liu;  F. Yuan;  B. Dierre;  T. Sekiguchi;  S. Zhang;  Y. K. Xu;  X. Jiang
收藏  |  浏览/下载：134/0  |  提交时间：2015/01/14
Gan  Nanowire Arrays  Epitaxial Growth  Interface  Yellow-band Emission  Vapor-phase Epitaxy  Gallium Nitride  Spatial-distribution  Luminescence  Carbon  Cathodoluminescence  Microstructure  Nanodevices  Fabrication  Mechanism  
Synthesis, Microstructure, and Cathodoluminescence of 0001 -Oriented GaN Nanorods Grown on Conductive Graphite Substrate 期刊论文
Acs Applied Materials & Interfaces, 2013, 卷号: 5, 期号: 22, 页码: 12066-12072
作者:  F. Yuan;  B. D. Liu;  Z. E. Wang;  B. Yang;  Y. Yin;  B. Dierre;  T. Sekiguchi;  G. F. Zhang;  X. Jiang
收藏  |  浏览/下载：110/0  |  提交时间：2014/02/19
Gan  Nanorods  Graphite  Crystallography  Cathodoluminescence  Vapor-phase Epitaxy  Nanowire Arrays  Piezoelectric Nanogenerators  Yellow Luminescence  Zinc-oxide  Photoluminescence  Nanostructures  Deposition  Mechanism  Graphene  
Effects of Si ion implantation and post-annealing on yellow luminescence from GaN 期刊论文
Physica B-Condensed Matter, 2002, 卷号: 322, 期号: 1-2, 页码: 51-56
作者:  L. Dai;  J. C. Zhang;  Y. Chen;  G. Z. Ran;  G. G. Qin
收藏  |  浏览/下载：75/0  |  提交时间：2012/04/14
Photoluminescence  Yellow Luminescence  Ion implantatIon  Gan  Detected Magnetic-resonance  Vapor-phase Epitaxy  Laser-diodes  Undoped  Gan  Photoluminescence  Vacancies  Layers  Origin