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Effect of argon on the structure of hydrogenated nanocrystalline silicon deposited from tetrachlorosilane/hydrogen/argon plasma 期刊论文
Physica Status Solidi a-Applications and Materials Science, 2012, 卷号: 209, 期号: 6, 页码: 1080-1084
作者:  L. Zhang;  J. H. Gao;  J. Q. Xiao;  L. S. Wen;  J. Gong;  C. Sun
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Hydrogen Concentration  Microstructure  Nanocrystalline Silicon  Raman  Spectra  Chemical-vapor-deposition  Low-temperature Growth  Amorphous-silicon  Microcrystalline Silicon  Raman-spectroscopy  Solar-cells  Thin-films  Chemistry  Mechanism  Kinetics  
Low-temperature (120 degrees C) growth of nanocrystalline silicon films prepared by plasma enhanced chemical vapor deposition from SiCl4/H-2 gases: Microstructure characterization 期刊论文
Applied Surface Science, 2012, 卷号: 258, 期号: 7, 页码: 3221-3226
作者:  L. Zhang;  J. H. Gao;  J. Q. Xiao;  L. S. Wen;  J. Gong;  C. Sun
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Nanocrystalline Silicon  Pecvd  Microstructure  Raman Spectra  Hydrogenated Amorphous-silicon  Thin-films  Raman-spectroscopy  Solar-cells  Mechanism  Sih2cl2  
Using boron doped amorphous diamond films as window layer of amorphous silicon solar cells 期刊论文
JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS, 2008, 卷号: 23, 期号: 5, 页码: 1064-1066
作者:  Zhu JiaQi;  Lu Jia;  Tian Gui;  Tan ManLin;  Geng Da
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