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In situ doping control for growth of n-p-n Si/SiGe/Si heterojunction bipolar transistor by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2005, 卷号: 273, 期号: 3-4, 页码: 381-385
作者:  Gao, F;  Huang, DD;  Li, JP;  Liu, C
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doping  molecular beam epitaxy  germanium silicon alloys  semiconducting germanium  semiconducting silicon  bipolar transistors  
Effects of annealing time and Si cap layer thickness on the Si/SiGe/Si heterostructures thermal stability 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2001, 卷号: 227, 页码: 766-769
作者:  Gao, F;  Lin, YX;  Huang, DD;  Li, JP;  Sun, DZ;  Kong, MY;  Zeng, YP;  Li, JM;  Lin, LY
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annealing  molecular beam epitaxy  germanium silicon alloys  semiconducting materials