| 芯片级封装互连体在电流作用下的损伤行为 |
| 郑凯; 刘春忠; 刘志权
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| 2013-10-25
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| 发表期刊 | 沈阳航空航天大学学报
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| 期号 | 5页码:54-59 |
| 摘要 | 随着电子封装互连焊点尺寸的不断减小,其电流密度越来越大,产生大量的焦耳热,焊点在服役中受到热场和电场共同作用,导致焊点的熔断失效。本文在常温环境和低温环境下分别加载1.0 A恒定电流的作用下,分析了CSP(Chip Size Package,即芯片级封装)样品的失效过程以及在不同服役条件下的Sn-3.8Ag-0.7Cu微焊球横截面的组织变化。得出互连体的失效行为分为三个阶段,并观察到互连焊点的界面处化合物Cu6Sn5在PCB(Printed circuit board,即印刷电路板)端界面处的生长和芯片端UBM(Under Ball Metal,即凸点下金属层)层Cu的消耗,同时得到降低其环境温度抑制CSP样品失效的结论。 |
| 部门归属 | 沈阳航空航天大学材料科学与工程学院
; 中国科学院金属研究所材料科学沈阳国家(联合)实验室
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| 关键词 | 微电子封装
失效
电迁移
孔洞
熔断
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| 语种 | 中文
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/72308
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
郑凯,刘春忠,刘志权. 芯片级封装互连体在电流作用下的损伤行为[J]. 沈阳航空航天大学学报,2013(5):54-59.
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| APA |
郑凯,刘春忠,&刘志权.(2013).芯片级封装互连体在电流作用下的损伤行为.沈阳航空航天大学学报(5),54-59.
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| MLA |
郑凯,et al."芯片级封装互连体在电流作用下的损伤行为".沈阳航空航天大学学报 .5(2013):54-59.
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