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芯片级封装互连体在电流作用下的损伤行为
郑凯; 刘春忠; 刘志权
2013-10-25
Source Publication沈阳航空航天大学学报
Issue5Pages:54-59
Abstract随着电子封装互连焊点尺寸的不断减小,其电流密度越来越大,产生大量的焦耳热,焊点在服役中受到热场和电场共同作用,导致焊点的熔断失效。本文在常温环境和低温环境下分别加载1.0 A恒定电流的作用下,分析了CSP(Chip Size Package,即芯片级封装)样品的失效过程以及在不同服役条件下的Sn-3.8Ag-0.7Cu微焊球横截面的组织变化。得出互连体的失效行为分为三个阶段,并观察到互连焊点的界面处化合物Cu6Sn5在PCB(Printed circuit board,即印刷电路板)端界面处的生长和芯片端UBM(Under Ball Metal,即凸点下金属层)层Cu的消耗,同时得到降低其环境温度抑制CSP样品失效的结论。
description.department沈阳航空航天大学材料科学与工程学院 ; 中国科学院金属研究所材料科学沈阳国家(联合)实验室
Keyword微电子封装 失效 电迁移 孔洞 熔断
Language中文
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.imr.ac.cn/handle/321006/72308
Collection中国科学院金属研究所
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GB/T 7714
郑凯,刘春忠,刘志权. 芯片级封装互连体在电流作用下的损伤行为[J]. 沈阳航空航天大学学报,2013(5):54-59.
APA 郑凯,刘春忠,&刘志权.(2013).芯片级封装互连体在电流作用下的损伤行为.沈阳航空航天大学学报(5),54-59.
MLA 郑凯,et al."芯片级封装互连体在电流作用下的损伤行为".沈阳航空航天大学学报 .5(2013):54-59.
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