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An internally-matched GaN HEMTs device with 45.2 W at 8 GHz for X-band application 期刊论文
SOLID-STATE ELECTRONICS, 2009, 卷号: 53, 期号: 3, 页码: 332-335
作者:  Wang, X. L.;  Chen, T. S.;  Xiao, H. L.;  Tang, J.;  Ran, J. X.;  Zhang, M. L.;  Feng, C.;  Hou, Q. F.;  Wei, M.;  Jiang, L. J.;  Li, J. M.;  Wang, Z. G.
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AlGaN/AlN/GaN  HEMT  MOCVD  SiC substrate  Power device  
Effects of resistivity of a p-Si chip on the light-emitting efficiency of a top-emission organic light-emitting diode with the p-Si chip as the anode 期刊论文
Physica Status Solidi a-Applications and Materials Science, 2006, 卷号: 203, 期号: 2, 页码: 428-434
作者:  A. G. Xu;  G. Z. Ran;  Z. L. Wu;  G. L. Ma;  Y. P. Qiao;  Y. H. Xu;  B. R. Yang;  B. R. Zhang;  G. G. Qin
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1.5 Mu-m  Silicon Anode  Thin-films  Devices  Cathode  Wavelength  Electrode  Bilayer  Layer  
Light extraction efficiency of a top-emission organic light-emitting diode with an Yb/Au double-layer cathode and an opaque Si anode 期刊论文
Applied Optics, 2006, 卷号: 45, 期号: 23, 页码: 5871-5876
作者:  G. Z. Ran;  G. L. Ma;  Y. H. Xu;  L. Dai;  G. G. Qin
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Interfacial Chemistry  Thin-films  Devices  Aluminum  Microcavities  Electrode  Bilayer  Alq(3)  
Role of the dielectric capping layer in enhancement of light outcoupling for semitransparent metal-cathode organic light-emitting devices 期刊论文
Journal of Optics a-Pure and Applied Optics, 2006, 卷号: 8, 期号: 9, 页码: 733-736
作者:  G. Z. Ran;  W. Q. Zhao;  G. L. Ma;  L. Dai;  G. G. Qin
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Light Outcoupling  Organic Light-emitting Device  Surface Plasmon  Optics Of Metal  Spontaneous Emission  Efficiency  Diodes  Microcavities  Extraction  Anode  
Experimental study of the organic light emitting diode with a p-type silicon anode 期刊论文
Thin Solid Films, 2006, 卷号: 496, 期号: 2, 页码: 665-668
作者:  G. L. Ma;  A. G. Xu;  G. Z. Ran;  Y. P. Qiao;  B. R. Zhang;  W. X. Chen;  L. Dai;  G. G. Qin
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Silicon Oxide  Organic Light Emitting Diode  Electrical Properties And  Measurement  Silicon Anode  Conjugated Oligomer Film  Porous Silicon  Interface  Devices  Electroluminescence  Performance  Electrodes  Growth  Oxide  Gan  
1.54 mu m Er3+ electroluminescence from an erbium-compound-doped organic light emitting diode with a p-type silicon anode 期刊论文
Journal of Physics D-Applied Physics, 2006, 卷号: 39, 期号: 13, 页码: 2711-2714
作者:  W. Q. Zhao;  P. F. Wang;  G. Z. Ran;  G. L. Ma;  B. R. Zhang;  W. M. Liu;  S. K. Wu;  L. Dai;  G. G. Qin
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Molecular-beam Epitaxy  Photoluminescence  Oxide  
Novel transparent Yb-based cathodes for top-emitting organic light emitting devices with high performance 期刊论文
Applied Surface Science, 2006, 卷号: 252, 期号: 10, 页码: 3580-3584
作者:  G. L. Ma;  G. Z. Ran;  A. G. Xu;  Y. P. Qiao;  W. Q. Zhao;  B. R. Zhang;  S. K. Wu;  G. G. Qin
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Oled  Top-emitting  Transparent Cathode  Diodes  
Highly transparent cathodes comprised of rare earth and Au stacked layers for top-emission organic light emitting diodes 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 11
作者:  G. Z. Ran;  W. Q. Zhao;  L. Dai;  G. G. Qin
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Interfacial Chemistry  Silicon Anode  Thin-films  Devices  Efficiency  Microcavities  Extraction  Electrode  Alq(3)  
Hole-injection mechanisms of organic light emitting diodes with Si anodes 期刊论文
Semiconductor Science and Technology, 2006, 卷号: 21, 期号: 6, 页码: 740-743
作者:  G. L. Ma;  G. Z. Ran;  W. Q. Zhao;  Y. H. Xu;  Y. P. Qiao;  B. R. Zhang;  L. Dai;  G. G. Qin
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Charge Injection  Silicon Anode  Metal  
Improving charge-injection balance and cathode transmittance of top-emitting organic light-emitting device with p-type silicon anode 期刊论文
Applied Physics Letters, 2005, 卷号: 87, 期号: 8
作者:  G. L. Ma;  G. Z. Ran;  A. G. Xu;  Y. H. Xu;  Y. P. Qiao;  W. X. Chen;  L. Dai;  G. G. Qin
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Electroluminescence  Diodes  Gan