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中频反应磁控溅射制备Al_2O_3:CeCl_3薄膜及其光致发光特性 期刊论文
稀有金属材料与工程, 2009, 期号: 4, 页码: 700-704
作者:  廖国进;  骆红;  闫绍峰;  巴德纯;  闻立时
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光致发光  Al2o3  薄膜  磁控溅射  Cecl3  
掺杂浓度对中频反应磁控溅射制备Al_2O_3:Ce~(3+)薄膜发光性能的影响 期刊论文
真空, 2009, 期号: 2, 页码: 33-37
作者:  闫绍峰;  骆红;  廖国进;  巴德纯;  闻立时
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三氧化二铝薄膜  中频反应磁控溅射  掺杂浓度  光致发光  Ce  
中频反应磁控溅射制备Al_2O_3:Ce薄膜及其光致发光特性 期刊论文
稀有金属材料与工程, 2008, 期号: 3, 页码: 490-494
作者:  廖国进;  巴德纯;  闻立时;  朱振华;  刘斯明
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光致发光  Al2o3  薄膜  磁控溅射  稀土元素  
掺杂浓度对中频反应磁控溅射制备Al_2O_3：Ce~(3+)薄膜发光性能的影响 期刊论文
功能材料与器件学报, 2007, 期号: 6, 页码: 543-548
作者:  廖国进;  巴德纯;  闻立时;  刘斯明;  阎绍峰
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三氧化二铝薄膜  中频反应磁控溅射  掺杂浓度  光致发光  Ce  
Mn或Cu掺杂非晶AlN薄膜的光致发光特性 期刊论文
真空科学与技术学报, 2007, 期号: 6, 页码: 508-510
作者:  巴德纯;  佟洪波;  闻立时
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氮化铝  中频反应溅射  掺杂  光致发光  
CdS纳米锥的合成以及光致发光性能研究(英文) 期刊论文
电子显微学报, 2007, 期号: 5, 页码: 423-427
作者:  陈志刚;  邹进;  刘岗;  李锋;  逯高清;  成会明
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Cds  高纯度纳米锥  光致发光  
掺杂浓度对Al_2O_3:Ce~(3+)薄膜发光性能的影响 期刊论文
功能材料, 2007, 期号: 6, 页码: 872-875
作者:  廖国进;  巴德纯;  闻立时;  刘斯明;  阎绍峰
收藏  |  浏览/下载：126/0  |  提交时间：2012/04/12
三氧化二铝薄膜  磁控溅射  掺杂浓度  光致发光  Ce  
准一维AlN纳米材料的控制合成、物性研究及其应用探索 学位论文
, 金属研究所: 中国科学院金属研究所, 2007
作者:  唐永炳
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准一维纳米材料  Aln  场发射  光致发光  复合材料  
掺杂浓度对中频反应磁控溅射制备Al2O3：Ce^3＋薄膜发光性能的影响 期刊论文
功能材料与器件学报, 2007, 卷号: 13.0, 期号: 006, 页码: 543-548
作者:  廖国进;  巴德纯;  闻立时;  刘斯明;  阎绍峰
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三氧化二铝薄膜  中频反应磁控溅射  掺杂浓度  光致发光  Ce  
ZnGeN_2晶体的结构和物性表征 期刊论文
电子显微学报, 2006, 期号: S1, 页码: 23-24
作者:  杜奎;  Bekele C;  Hayman C C;  Pirouz P;  Kash K
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晶体生长:6058  电子显微像:4447  带隙:3010  晶格常数:2974  光致发光光谱:2453  物性表征:2444  层错结构:2350  高分辨:1960  宽度:1466  扫描:1450