中文版 | English

在结果中检索

IMR OpenIR

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助

已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
以蓝宝石为衬底外延生长的氮化镓基膜材料的电子显微学研究 学位论文
, 北京: 中国科学院金属研究所, 2011
作者:  闫鹏飞
收藏  |  浏览/下载：81/0  |  提交时间：2013/04/12
氮化镓  位错  电子显微学  氧化铝  
AlGaN/InGaN异质结中一种新缺陷的TEM表征 期刊论文
半导体技术, 2008, 期号: S1, 页码: 133-135
作者:  闫鹏飞;  隋曼龄
收藏  |  浏览/下载：136/0  |  提交时间：2012/04/12
氮化镓  位错  带状缺陷  拉应力  
AlGaN/InGaN异质结中一种新缺陷的TEM表征 会议论文
第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议论文集, 广州, 2008-11-30
作者:  闫鹏飞;  隋曼龄
收藏  |  浏览/下载：96/0  |  提交时间：2013/08/21
氮化镓异质结  化学气相沉积法  蓝宝石衬底  紫外光发光二极管  位错滑移  带状缺陷  发光性能  
氮化镓半导体中扩展缺陷的电子性质研究 成果
2004
完成人/完成单位:  王绍青;  程大勇;  张林;  卞寿亮
收藏  |  浏览/下载：81/0  |  提交时间：2013/07/24
氮化镓半导体  缺陷  电子性质