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Effects of Substrate Temperature on the Growth of Polycrystalline Si Films Deposited with SiH(4)+Ar 期刊论文
Journal of Materials Science & Technology, 2009, 卷号: 25, 期号: 4, 页码: 489-491
作者:  H. Cheng;  A. M. Wu;  J. Q. Xiao;  N. L. Shi;  L. S. Wen
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Poly-si Films  Ecr-pecvd  Substrate Temperature  Ar-dilution  Chemical-vapor-deposition  Ar-diluted Sih4  Microcrystalline Silicon  Optical-properties  h Films  Plasma  Pecvd  Hydrogen  Silane  
Effect of Ar on Polycrystalline Si Films Deposited by ECR-PECVD using SiH4 期刊论文
Journal of Materials Science & Technology, 2008, 卷号: 24, 期号: 5, 页码: 690-692
作者:  H. Cheng;  A. M. Wu;  N. L. Shi;  L. S. Wen
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Ar Flow Rate  Ecr-pecvd  Poly-si  Thin Films  Chemical-vapor-deposition  Microcrystalline Silicon  Low-temperatures  Plasma  Growth  Transition  Hydrogen  
A simulator for producing of high flux atomic oxygen beam by using ECR plasma source 期刊论文
Journal of Materials Science & Technology, 2004, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: 759-762
作者:  S. W. Duo;  M. S. Li;  Y. M. Zhang
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Atomic Oxygen  Low Earth Orbit Space Environment  Ecr Plasma  Microwave  Surfaces  Erosion