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Enhancement of in-plane thermal conductivity of flexible boron nitride heat spreaders by micro/nanovoid filling using deformable liquid metal nanoparticles
期刊论文
RARE METALS, 2023, 页码: 11
作者:
Tao, Pei-Di
;
Wang, Shao-Gang
;
Chen, Lu
;
Ying, Jun-Feng
;
Lv, Le
;
Sun, Li-Wen
;
Chu, Wu-Bo
;
Nishimura, Kazuhito
;
Fu, Li
;
Wang, Yue-Zhong
;
Yu, Jin-Hong
;
Jiang, Nan
;
Dai, Wen
;
Lv, Yao-Kang
;
Lin, Cheng-Te
;
Yan, Qing-Wei
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2024/01/08
Boron nitride nanosheet
Liquid metal
Eutectic gallium-indium
In-plane thermal conductivity
Heat spreader
Anodic stripping voltammetry of silver(I) using unmodified GaN film and nanostructure electrodes
期刊论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2015, 卷号: 356, 页码: 1058-1063
作者:
Liu, Q. Y.
;
Liu, B. D.
;
Yuan, F.
;
Zhuang, H.
;
Wang, C.
;
Shi, D.
;
Xu, Y. K.
;
Jiang, X.
;
baodanliu@imr.ac.cn
;
xjiang@imr.ac.cn
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浏览/下载:130/0
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提交时间:2016/04/21
Anodic Stripping Voltammetry
Gallium Nitride Electrodes
Silver
Origin of Yellow-Band Emission in Epitaxially Grown GaN Nanowire Arrays
期刊论文
Acs Applied Materials & Interfaces, 2014, 卷号: 6, 期号: 16, 页码: 14159-14166
作者:
B. D. Liu
;
F. Yuan
;
B. Dierre
;
T. Sekiguchi
;
S. Zhang
;
Y. K. Xu
;
X. Jiang
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浏览/下载:133/0
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提交时间:2015/01/14
Gan
Nanowire Arrays
Epitaxial Growth
Interface
Yellow-band Emission
Vapor-phase Epitaxy
Gallium Nitride
Spatial-distribution
Luminescence
Carbon
Cathodoluminescence
Microstructure
Nanodevices
Fabrication
Mechanism
Growth of GaN film on Si (111) substrate using AlN sandwich structure as buffer
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2011, 卷号: 318, 期号: 1, 页码: 464-467
作者:
Pan, Xu
;
Wei, Meng
;
Yang, Cuibai
;
Xiao, Hongling
;
Wang, Cuimei
;
Wang, Xiaoliang
收藏
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浏览/下载:97/0
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提交时间:2021/02/02
Sandwich structure
Stress
Aluminum nitride
Gallium nitride
Silicon
Wurtzite P-Doped GaN Triangular Microtubes as Field Emitters
期刊论文
Journal of Physical Chemistry C, 2010, 卷号: 114, 期号: 21, 页码: 9627-9633
作者:
L. T. Fu
;
Z. G. Chen
;
D. W. Wang
;
L. N. Cheng
;
H. Y. Xu
;
J. Z. Liu
;
H. T. Cong
;
G. Q. Lu
;
J. Zou
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浏览/下载:129/0
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提交时间:2012/04/13
Gallium Nitride Nanowires
Vapor-phase Epitaxy
Emission Properties
Optical-properties
Carbon Nanotubes
Cross-sections
Growth
Cathodoluminescence
Nanorods
Heterostructures
Growth of GaN single crystals by Ca(3)N(2) flux
期刊论文
Scripta Materialia, 2008, 卷号: 58, 期号: 4, 页码: 319-322
作者:
G. Wang
;
W. X. Yuan
;
J. K. Jian
;
H. Q. Bao
;
J. F. Wang
;
X. L. Chen
;
J. K. Liang
Adobe PDF(336Kb)
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浏览/下载:77/0
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提交时间:2012/04/13
Calphad
Single Crystal Growth
Nitride
Vapor-phase Epitaxy
Iii-v Nitrides
Bulk Gan
Thermodynamic Assessment
Na Flux
Pressure
Gallium
System
Mechanism
Devices
Subsolidus phase relations of the Cu-Ga-N system
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2007, 卷号: 438, 期号: 1-2, 页码: 158-164
作者:
Y. Zhang
;
J. B. Li
;
J. K. Liang
;
Q. Zhang
;
B. J. Sun
;
Y. G. Xiao
;
G. H. Rao
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浏览/下载:126/0
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提交时间:2012/04/13
X-ray Diffraction
Phase Diagram
Semiconductors
Nitride Materials
Crystal-structure
Lattice Spacings
Copper-gallium
Bulk Gan
Alloys
Growth
Silver
Cr
Diffraction
Equilibria
Ab initio pseudopotential studies of the pressure dependences of structural, electronic and optical properties for GaN
期刊论文
Solid State Communications, Solid State Communications, 2006, 2006, 卷号: 138, 138, 期号: 10-11, 页码: 494-497, 494-497
作者:
G. Y. Gao
;
K. L. Yao
;
Z. L. Liu
;
Y. L. Li
;
Y. C. Li
;
Q. M. Liu
收藏
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浏览/下载:63/0
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提交时间:2012/04/13
Semiconductors
Semiconductors
Phase Transition
Phase Transition
Electronic Structure
Electronic Structure
Optical
Optical
Properties
Properties
Generalized Gradient Approximation
Generalized Gradient Approximation
Iii-v Nitrides
Iii-v Nitrides
Phase-transition
Phase-transition
Gallium Nitride
Gallium Nitride
Stability
Stability
Inn
Inn
Aln
Aln
Transition phase and thermodynamic properties of GaN via first-principles calculations
期刊论文
Solid State Communications, 2005, 卷号: 136, 期号: 3, 页码: 152-156
作者:
L. Y. Lu
;
X. R. Chen
;
Y. Cheng
;
J. Z. Zhao
收藏
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浏览/下载:91/0
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提交时间:2012/04/14
Gan
Thermodynamic Properties
Transition Phase
Generalized Gradient Approximation
Molecular-beam Epitaxy
Iii-v
Nitrides
Gallium Nitride
High-pressure
Plane-wave
Stability
Wurtzite
Growth
Pseudopotentials
Transition phase and thermodynamic properties of GaN via first-principles calculations
期刊论文
Solid State Communications, 2005, 卷号: 136, 期号: 3, 页码: 152-156
作者:
L. Y. Lu
;
X. R. Chen
;
Y. Cheng
;
J. Z. Zhao
收藏
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浏览/下载:75/0
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提交时间:2012/05/17
Gan
Thermodynamic Properties
Transition Phase
Generalized Gradient Approximation
Molecular-beam Epitaxy
Iii-v
Nitrides
Gallium Nitride
High-pressure
Plane-wave
Stability
Wurtzite
Growth
Pseudopotentials