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Room-temperature weak ferromagnetism of amorphous HfAlOx thin films deposited by pulsed laser deposition 期刊论文
Applied Physics Letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 24
作者:  X. Y. Qiu;  Q. M. Liu;  F. Gao;  L. Y. Lu;  J. M. Liu
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Thermal-stability  Hfo2  Magnetism  Semiconductors  Oxides  Cab6  
Phase separation enhanced interfacial reactions in complex high-k dielectric films 期刊论文
Integrated Ferroelectrics, 2006, 卷号: 86, 页码: 13-19
作者:  X. Y. Qiu;  F. Gao;  H. W. Liu;  J. S. Zhu;  J. M. Liu
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Phase Separation  Interfacial Reaction  High-k Dielectric Film  Pulsed-laser Deposition  Silicate Thin-films  Thermal-stability  Gate  Property  Hfo2  
Phase separation and interfacial reaction of high-k HfAlOx films prepared by pulsed-laser deposition in oxygen-deficient ambient 期刊论文
Applied Physics Letters, Applied Physics Letters, 2006, 2006, 卷号: 88, 88, 期号: 7
作者:  X. Y. Qiu;  H. W. Liu;  F. Fang;  M. J. Ha;  J. M. Liu
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Silicate Thin-films  Silicate Thin-films  Thermal-stability  Thermal-stability  Gate Dielectrics  Gate Dielectrics  Si(100)  Si(100)  Zro2  Zro2  Capacitors  Capacitors  Diffusion  Diffusion  Kinetics  Kinetics  Oxides  Oxides  Hfo2  Hfo2  
Pulsed laser deposition of aluminate YAlO3 and LaAlO3 thin films for alternative gate dielectric applications 期刊论文
Applied Physics a-Materials Science & Processing, 2005, 卷号: 80, 期号: 8, 页码: 1775-1779
作者:  J. M. Liu;  G. H. Shi;  L. C. Yu;  T. L. Li;  Z. G. Liu;  J. Y. Dai
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Hafnium Oxide  Si  Stability  Silicon  Transition  Dioxide  Devices  Hfo2  
Pulsed laser deposition of aluminate YAlO3 and LaAlO3 thin films for alternative gate dielectric applications 期刊论文
Applied Physics a-Materials Science & Processing, 2005, 卷号: 80, 期号: 8, 页码: 1775-1779
作者:  J. M. Liu;  G. H. Shi;  L. C. Yu;  T. L. Li;  Z. G. Liu;  J. Y. Dai
收藏  |  浏览/下载：85/0  |  提交时间：2012/05/17
Hafnium Oxide  Si  Stability  Silicon  Transition  Dioxide  Devices  Hfo2