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Tunable Band Gaps and p-Type Transport Properties of Boron-Doped Graphenes by Controllable Ion Doping Using Reactive Microwave Plasma 期刊论文
Acs Nano, 2012, 卷号: 6, 期号: 3, 页码: 1970-1978
作者:  Y. B. Tang;  L. C. Yin;  Y. Yang;  X. H. Bo;  Y. L. Cao;  H. E. Wang;  W. J. Zhang;  I. Bello;  S. T. Lee;  H. M. Cheng;  C. S. Lee
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Graphene  Controllable Doping  Tunable Band Gaps  P-type Transport  Properties  Boron-doped  Microwave Plasma  Walled Carbon Nanotubes  Ray Photoelectron-spectroscopy  Field-effect  Transistors  High-quality  Electronic-properties  Epitaxial Graphene  Films  Transparent  Deposition  Oxide  
Tunable p-Type Conductivity and Transport Properties of AlN Nanowires via Mg Doping 期刊论文
Acs Nano, 2011, 卷号: 5, 期号: 5, 页码: 3591-3598
作者:  Y. B. Tang;  X. H. Bo;  J. Xu;  Y. L. Cao;  Z. H. Chen;  H. S. Song;  C. P. Liu;  T. F. Hung;  W. J. Zhang;  H. M. Cheng;  I. Bello;  S. T. Lee;  C. S. Lee
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Aluminum Nitride  Nanowire Arrays  Mg Doping  Tunable P-type  Conductivity  Field-effect Transistors  Aluminum Nitride Nanotubes  Molecular-beam Epitaxy  Field-emission  Thin-films  Growth  Gan  Arrays  Nanostructures  Stability  Substrate  
Using boron doped amorphous diamond films as window layer of amorphous silicon solar cells 期刊论文
JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS, 2008, 卷号: 23, 期号: 5, 页码: 1064-1066
作者:  Zhu JiaQi;  Lu Jia;  Tian Gui;  Tan ManLin;  Geng Da
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P-TYPE WINDOW  CARBON  amorphous diamond (a-D) films  amorphous silicon solar cells  doping  conversion efficiency  
Doping during low-temperature growth of materials for n-p-n Si/SiGe/Si heterojuction bipolar transistor by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2000, 卷号: 208, 期号: 1-4, 页码: 322-326
作者:  Liu, JP;  Huang, DD;  Li, JP;  Lin, YX;  Sun, DZ;  Kong, MY
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n-type doping  p-type doping  Si/SiGe  HBT  GSMBE