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In situ doping control for growth of n-p-n Si/SiGe/Si heterojunction bipolar transistor by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2005, 卷号: 273, 期号: 3-4, 页码: 381-385
作者:  Gao, F;  Huang, DD;  Li, JP;  Liu, C
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doping  molecular beam epitaxy  germanium silicon alloys  semiconducting germanium  semiconducting silicon  bipolar transistors  
Changing the size and shape of Ge island by chemical etching 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2001, 卷号: 231, 期号: 1-2, 页码: 17-21
作者:  Gao, F;  Huang, CJ;  Huang, DD;  Li, JP;  Sun, DZ;  Kong, MY;  Zeng, YP;  Li, JM;  Lin, LY
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atomic force microscopy  etching  nanostructures  molecular beam epitaxy  semiconducting germanium  semiconducting silicon  
Effects of annealing time and Si cap layer thickness on the Si/SiGe/Si heterostructures thermal stability 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2001, 卷号: 227, 页码: 766-769
作者:  Gao, F;  Lin, YX;  Huang, DD;  Li, JP;  Sun, DZ;  Kong, MY;  Zeng, YP;  Li, JM;  Lin, LY
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annealing  molecular beam epitaxy  germanium silicon alloys  semiconducting materials