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Microdefects and electrical uniformity of InP annealed in phosphorus and iron phosphide ambiances 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2003, 卷号: 259, 期号: 1-2, 页码: 1-7
作者:  Dong, ZY;  Zhao, YW;  Zeng, YP;  Duan, ML;  Sun, WR;  Jiao, JH;  Lin, LY
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annealing  defects  etching  semiconducting indium phosphide  
Influence of semi-insulating InP substrates on InAlAs epilayers grown by molecular beam epitaxy 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2003, 卷号: 250, 期号: 3-4, 页码: 364-369
作者:  Dong, HW;  Zhao, YW;  Zeng, YP;  Jiao, JH;  Li, JM;  Lin, LY
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diffusion  interfaces  substrates  molecular beam epitaxy  phosphides  semiconducting indium phosphide