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Fabrication of uniform Ge-nanocrystals embedded in amorphous SiO2 films using Ge-ion implantation and neutron irradiation methods 期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 卷号: 98, 期号: 7, 页码: 3
作者:  Chen, Q.;  Lu, T.;  Xu, M.;  Meng, C.;  Hu, Y.;  Sun, K.;  Shlimak, I.
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Fabrication of uniform Ge-nanocrystals embedded in amorphous SiO(2) films using Ge-ion implantation and neutron irradiation methods 期刊论文
Applied Physics Letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 7
作者:  Q. Chen;  T. Lu;  M. Xu;  C. Meng;  Y. Hu;  K. Sun;  I. Shlimak
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Transmutation-doped Gaas  Electrical-properties  Misfit Dislocations  Lasers Go  Silicon  Films  
The Raman spectroscopy of neutron transmutation doping isotope (74)Germanium nanocrystals embedded in SiO2 matrix 期刊论文
Solid State Communications, 2007, 卷号: 141, 期号: 9, 页码: 514-518
作者:  Y. W. Hu;  T. C. Lu;  S. B. Dun;  Q. Hu;  N. K. Huang;  S. B. Zhang;  B. Tang;  J. L. Dai;  L. Resnick;  I. Shlimak;  S. Zhu;  Q. M. Wei;  L. M. Wang
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Isotope Ge Nanocrystals  Transmuted Impurities  Laser Raman Scattering  Neutron Transmutation Doping  Visible Photoluminescence  Semiinsulating Gaas  Hopping Conduction  Thin-films  Scattering  Germanium  Sio2-films  Plasmons  Phonons  Growth