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An internally-matched GaN HEMTs device with 45.2 W at 8 GHz for X-band application 期刊论文
SOLID-STATE ELECTRONICS, 2009, 卷号: 53, 期号: 3, 页码: 332-335
作者:  Wang, X. L.;  Chen, T. S.;  Xiao, H. L.;  Tang, J.;  Ran, J. X.;  Zhang, M. L.;  Feng, C.;  Hou, Q. F.;  Wei, M.;  Jiang, L. J.;  Li, J. M.;  Wang, Z. G.
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AlGaN/AlN/GaN  HEMT  MOCVD  SiC substrate  Power device  
Growth and characterization of AlGaN/GaN heterostructure using unintentionally doped AlN/GaN superlattices as barrier layer 期刊论文
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2009, 卷号: 45, 期号: 2, 页码: 54-59
作者:  Zhang, M. L.;  Wang, X. L.;  Xiao, H. L.;  Wang, C. M.;  Yang, C. B.;  Tang, J.;  Feng, C.;  Jiang, L. J.;  Hu, G. X.;  Ran, J. X.;  Wang, ZH. G.
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AlGaN/GaN heterostructure  Superlattices (SLs)  Root mean square roughness (RMS)  Sheet resistance  
C and Si ion implantation and the origins of yellow luminescence in GaN 期刊论文
Applied Physics a-Materials Science & Processing, 2004, 卷号: 79, 期号: 1, 页码: 139-142
作者:  L. Dai;  G. Z. Ran;  J. C. Zhang;  X. F. Duan;  W. C. Lian;  G. G. Qin
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Detected Magnetic-resonance  Vapor-phase Epitaxy  Undoped Gan  Photoluminescence  Vacancies  Nitrides  
Effects of Si, Ge and Ar ion-implantation on EL from Au/Si-rich SiO2/p-Si structure 期刊论文
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B-Beam Interactions with Materials and Atoms, 2001, 卷号: 183, 期号: 3-4, 页码: 305-310
作者:  Y. Chen;  G. Z. Ran;  Y. K. Sun;  Y. B. Wang;  J. S. Fu;  W. T. Chen;  Y. Y. Gong;  D. X. Wu;  Z. C. Ma;  W. H. Zong;  G. G. Qin
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Silicon-dioxide Films  Visible Electroluminescence  Optical-properties  Photoluminescence  Enhancement  Sio2-films  Glass