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放电气体对ECR-PECVD法制备微晶硅薄膜的影响 期刊论文
材料研究学报, 2013, 期号: 3, 页码: 307-311
作者:  程华;  钱永产;  薛军;  吴爱民;  石南林
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材料合成与加工工艺  微晶硅薄膜  Ecr-pecvd  放电气体  
中频孪生靶非平衡磁控溅射纳米硅薄膜的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院金属研究所, 2012
作者:  高俊华
收藏  |  浏览/下载:106/0  |  提交时间:2013/04/12
中频孪生靶  非平衡磁控溅射  纳米硅薄膜  磁镜场  Middle Frequency Dual-target  Unbalanced Magnetron Sputtering  Nc-si Film  Magnetic Mirror Field  
PECVD裂解SiCl4低温快速沉积氢化纳米晶硅薄膜的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院金属研究所, 2012
作者:  张林
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等离子体增强化学气相沉积法  氢化纳米硅薄膜  微观结构  Pecvd  Nc-si:h Film  Microstructure  
基片温度对微晶硅薄膜微观结构和光学性能的影响 期刊论文
材料研究学报, 2011, 期号: 4, 页码: 408-412
作者:  程华;  王萍;  崔岩;  吴爱民;  石南林
收藏  |  浏览/下载:103/0  |  提交时间:2012/04/12
材料合成与加工工艺  微晶硅薄膜  Ecr Pecvd  吸收系数  光学带隙  
用等离子体增强化学气相沉积制备微晶硅薄膜 期刊论文
材料研究学报, 2010, 期号: 5, 页码: 547-549
作者:  程华;  张昕;  张广城;  刘汝宏;  吴爱民;  石南林
收藏  |  浏览/下载:118/0  |  提交时间:2012/04/12
材料合成与加工工艺  微晶硅薄膜  Ar稀释sih_4  Ecr-pecvd  微波功率  
硅薄膜中的结构缺陷研究进展 期刊论文
功能材料, 2010, 期号: S1, 页码: 1-5
作者:  赵彦辉;  肖金泉;  黄荣芳;  闻火;  闻立时
收藏  |  浏览/下载:110/0  |  提交时间:2012/04/12
硅薄膜  缺陷  缺陷研究方法  转换效率  
准分子激光引起的非晶硅薄膜晶化行为的研究 期刊论文
真空, 2009, 期号: 4, 页码: 5-8
作者:  崔连武;  程华;  吴敢;  黄荣芳;  闻火;  闻立时
收藏  |  浏览/下载:98/0  |  提交时间:2012/04/12
准分子激光  非晶硅薄膜  激光能量密度  结晶度  
PECVD硅烷分解法制备硅层基本规律的研究 学位论文
, 金属研究所: 中国科学院金属研究所, 2009
作者:  程华
收藏  |  浏览/下载:141/0  |  提交时间:2012/04/10
微晶硅薄膜  Pecvd  Ar放电  沉积速率  组织结构  结晶状态  薄膜稳定性  电学特性  光学特性  
薄膜硅太阳电池中的材料学和工程问题 会议论文
二〇〇八全国功能材料科技与产业高层论坛论文集, 天津, 2008-10-23
作者:  闻立时;  黄荣芳
收藏  |  浏览/下载:73/0  |  提交时间:2013/08/21
光伏发电  光伏产业  太阳能电池  硅薄膜材料  
高压热充氢制备纳米晶硅薄膜的方法及其专用设备 成果
2008
完成人/完成单位:  中国科学院金属研究所
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纳米晶硅薄膜  高压热充氢  尺度均匀