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WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
Ge-70 nanocrystals in SiO2 films under neutron irradiation: A Raman and photoluminescence study
期刊论文
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B-Beam Interactions with Materials and Atoms, 2012, 卷号: 286, 页码: 287-290
作者:
L. Fan
;
T. Lu
;
Q. Chen
;
Y. Hu
;
S. Dun
;
Q. Hu
;
C. You
;
S. Zhang
;
B. Tang
;
J. Dai
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浏览/下载:104/0
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提交时间:2013/02/05
Ion-implantation
Neutron Irradiation
Nanocrystalline Materials
Photoluminescence
Ge Nanocrystals
Sio2 Matrix
Semiconductors
Crystalline
Mechanism
Spectra
Photoluminescence study of Ge nanocrystals irradiated by reactor neutron flux
期刊论文
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B-Beam Interactions with Materials and Atoms, Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B-Beam Interactions with Materials and Atoms, 2007, 2007, 卷号: 264, 264, 期号: 2, 页码: 272-276, 272-276
作者:
S. B. Dun
;
T. C. Lu
;
Q. Hu
;
Y. W. Hu
;
C. F. You
;
S. B. Zhang
;
B. Tang
;
J. L. Dai
;
N. K. Huang
收藏
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浏览/下载:146/0
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提交时间:2012/04/13
Ge Nanocrystals
Ge Nanocrystals
Neutron Transmutation Doping
Neutron Transmutation Doping
Photoluminescence
Photoluminescence
Raman
Raman
Scattering
Scattering
Doped Si Nanocrystals
Doped Si Nanocrystals
Electron-spin-resonance
Electron-spin-resonance
Semiconductor
Semiconductor
Nanocrystals
Nanocrystals
N-type
N-type
Implanted Sio2-films
Implanted Sio2-films
Silicon Nanocrystals
Silicon Nanocrystals
Porous
Porous
Silicon
Silicon
Raman
Raman
Luminescence
Luminescence
Temperature
Temperature
The Raman spectroscopy of neutron transmutation doping isotope (74)Germanium nanocrystals embedded in SiO2 matrix
期刊论文
Solid State Communications, 2007, 卷号: 141, 期号: 9, 页码: 514-518
作者:
Y. W. Hu
;
T. C. Lu
;
S. B. Dun
;
Q. Hu
;
N. K. Huang
;
S. B. Zhang
;
B. Tang
;
J. L. Dai
;
L. Resnick
;
I. Shlimak
;
S. Zhu
;
Q. M. Wei
;
L. M. Wang
收藏
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浏览/下载:122/0
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提交时间:2012/04/13
Isotope Ge Nanocrystals
Transmuted Impurities
Laser Raman Scattering
Neutron Transmutation Doping
Visible Photoluminescence
Semiinsulating Gaas
Hopping Conduction
Thin-films
Scattering
Germanium
Sio2-films
Plasmons
Phonons
Growth
Ge nano-layer fabricated by high-fluence low-energy ion implantation
期刊论文
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B-Beam Interactions with Materials and Atoms, 2006, 卷号: 250, 页码: 183-187
作者:
T. C. Lu
;
S. B. Dun
;
Q. Hu
;
S. B. Zhang
;
Z. An
;
Y. M. Duan
;
S. Zhu
;
Q. M. Wei
;
L. M. Wang
收藏
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浏览/下载:97/0
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提交时间:2012/04/14
Ge Nano-layer
Ion implantatIon
Laser Raman Scattering
Photoluminescence
Transmission Electron Microscopy
X-ray Diffraction
Sio2 Film
Nanocrystals
Photoluminescence
Sio2-films
Emission
Si1-xgex
Matrix
Growth
Silica
Blue
Patterned nanoclusters in the indium-doped SrTiO3 films
期刊论文
Applied Physics Letters, 2004, 卷号: 85, 期号: 24, 页码: 5899-5901
作者:
M. Zhang
;
X. L. Ma
;
D. X. Li
;
H. B. Lu
;
Z. H. Chen
;
G. Z. Yang
收藏
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提交时间:2012/04/14
Quantum Dots
Thin-films
Growth
Nanocrystals
Islands
Epitaxy
Gaas
Ge