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GROWTH OF HIGHLY (0002) ORIENTED InN FILMS ON AlInN/AlN BILAYER 期刊论文
Surface Review and Letters, 2013, 卷号: 20, 期号: 2
作者:  C. J. Dong;  M. Xu;  W. Lu;  Q. Z. Huang
收藏  |  浏览/下载：108/0  |  提交时间：2013/12/24
Thin Films  Nitrides  Sputtering  Microstructure  Chemical-vapor-deposition  Molecular-beam Epitaxy  Optical-properties  Lattice-constants  Phase Epitaxy  Wurtzite Inn  Thin-films  Layers  Spectroscopy  Nitridation  
Deposition and properties of highly c-oriented of InN films on sapphire substrates with ECR-plasma-enhanced MOCVD 期刊论文
RARE METALS, 2012, 卷号: 31, 期号: 2, 页码: 150-153
作者:  Qin Fuwen;  Zhang Dong;  Bai Yizhen;  Ju Zhenhe;  Li Shuangmei;  Li Yucai;  Pang Jiaqi;  Bian Jiming
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MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GROWTH  InN films  ECR-PEMOCVD  sapphire substrates  semiconductor devices  
Electronic and Optical Properties of Rock-Salt AlN under High Pressure via First-Principles Analysis 期刊论文
Communications in Theoretical Physics, 2008, 卷号: 50, 期号: 4, 页码: 990-994
作者:  W. Zhang;  X. R. Chen;  L. C. Cai;  Q. Q. Gou
Adobe PDF(207Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2012/04/13
Semiconductors  Electronic Band Structure  Optical Properties  Density  Functional Theory  Aluminum Nitride  Wurtzite  Zincblende  Gan  Films  Inn