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Oxidation behavior of the compound Ti-Al-Si-N/1Cr11Ni2W2MoV at 800 degrees C for 1000 h in air 期刊论文
Surface & Coatings Technology, 2013, 卷号: 232, 页码: 88-95
作者:  C. J. Feng;  M. S. Li;  L. Xin;  S. L. Zhu;  Z. S. Shao;  Q. Zhao;  F. H. Wang
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Ti-al-si-n Coating  1cr11ni2w2mov Stainless Steel  Prolonged Oxidation  Mechanism  High-temperature Oxidation  Chemical-vapor-deposition  Steel Substrate  Hard Coatings  Thin-films  Mechanical-properties  Isothermal Oxidation  Ti1-xalxn Coatings  Thermal-stability  Tialn Coatings  
Surface characterization of AlGaN grown on Si (111) substrates 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2011, 卷号: 331, 期号: 1, 页码: 29-32
作者:  Pan, Xu;  Wang, Xiaoliang;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimei;  Feng, Chun;  Jiang, Lijuan;  Yin, Haibo;  Chen, Hong
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Island nucleation  Raman scattering  Si (111) substrate  AlGaN epilayers  
Ultraviolet electroluminescence from ZnO-based light-emitting diode with p-ZnO:N/n-GaN:Si heterojunction structure 期刊论文
Journal of Luminescence, 2011, 卷号: 131, 期号: 4, 页码: 825-828
作者:  J. C. Sun;  Q. J. Feng;  J. M. Bian;  D. Q. Yu;  M. K. Li;  C. R. Li;  H. W. Liang;  J. Z. Zhao;  H. Qiu;  G. T. Du
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P-zno:N/n-gan:Si Hererojunction  Led  Uv Electroluminescence  Mocvd  Chemical-vapor-deposition  Zinc-oxide  N-zno  Nitrogen  Films  Fabrication  Substrate  
Structure and photoluminescence properties of the quasi-regular arrangements of porous silicon 期刊论文
Optoelectronics and Advanced Materials-Rapid Communications, 2011, 卷号: 5, 期号: 5-6, 页码: 495-498
作者:  T. Wang;  X. Li;  W. Feng;  W. Li;  C. Tao;  J. Wen
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Porous Silicon  Electrochemical Anodization  Quasi-regular Arrangement  Photoluminescence  P-type Silicon  Macroporous Silicon  Si Substrate  Alumina  
Effects of Substrate Temperature on the Growth of Polycrystalline Si Films Deposited with SiH4+Ar 期刊论文
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE & TECHNOLOGY, 2009, 卷号: 25, 期号: 4, 页码: 489-491
作者:  Cheng, Hua;  Wu, Aimin;  Xiao, Jinquan;  Shi, Nanlin;  Wen, Lishi
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Poly-Si films  ECR-PECVD  Substrate temperature  Ar-dilution  
Effects of Substrate Temperature on the Growth of Polycrystalline Si Films Deposited with SiH(4)+Ar 期刊论文
Journal of Materials Science & Technology, 2009, 卷号: 25, 期号: 4, 页码: 489-491
作者:  H. Cheng;  A. M. Wu;  J. Q. Xiao;  N. L. Shi;  L. S. Wen
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Poly-si Films  Ecr-pecvd  Substrate Temperature  Ar-dilution  Chemical-vapor-deposition  Ar-diluted Sih4  Microcrystalline Silicon  Optical-properties  h Films  Plasma  Pecvd  Hydrogen  Silane  
Effects of annealing and dopant concentration on the optical characteristics of ZnO : Al thin films by sol-gel technique 期刊论文
Physica B-Condensed Matter, 2006, 卷号: 382, 期号: 1-2, 页码: 201-204
作者:  S. W. Xue;  X. T. Zu;  W. G. Zheng;  M. Y. Chen;  X. Xiang
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Zno Thin Films  Pl  Sol-gel  Annealing  Absorption Spectra  Transmittance  Oxide-films  Photoluminescence  Green  Enhancement  Ultraviolet  Substrate  Emissions  Oxidation  Si  
Laser direct writing of Ag films from solution on Si substrate 期刊论文
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE & TECHNOLOGY, 2003, 卷号: 19, 期号: 6, 页码: 634-636
作者:  Sun, K;  Zhang, CB;  Zhao, Y
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pulsed Nd : YAG laser  laser direct writing  Ag deposited film  Si substrate