×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
登录
中文版
|
English
中国科学院金属研究所机构知识库
登录
注册
ALL
ORCID
题名
作者
学科领域
关键词
资助项目
文献类型
出处
收录类别
出版者
发表日期
存缴日期
学科门类
学习讨论厅
图片搜索
粘贴图片网址
首页
研究单元&专题
作者
文献类型
学科分类
知识图谱
新闻&公告
在结果中检索
研究单元&专题
作者
文献类型
期刊论文 [9]
发表日期
2024 [1]
2023 [3]
2022 [1]
2021 [1]
2019 [2]
2016 [1]
更多...
语种
英语 [9]
出处
SMALL [2]
VACUUM [2]
ACS APPLIE... [1]
ADVANCED E... [1]
APPLIED SU... [1]
JOURNAL OF... [1]
更多...
资助项目
National B... [3]
National N... [3]
Central Go... [2]
basic rese... [2]
basic scie... [2]
key resear... [2]
更多...
收录类别
SCI [9]
资助机构
National B... [3]
National N... [3]
Central Go... [2]
basic rese... [2]
basic scie... [2]
key resear... [2]
更多...
×
知识图谱
IMR OpenIR
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共9条,第1-9条
帮助
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
提交时间升序
提交时间降序
WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
发表日期升序
发表日期降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
题名升序
题名降序
Enhanced memristor performance via coupling effect of oxygen vacancy and ferroelectric polarization
期刊论文
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE & TECHNOLOGY, 2024, 卷号: 171, 页码: 139-146
作者:
Yue, Zhi Yun
;
Zhang, Zhi Dong
;
Wang, Zhan Jie
收藏
  |  
浏览/下载:8/0
  |  
提交时间:2024/01/08
Ferroelectric memristor
Ca -doped PZT
Ferroelectric polarization
Oxygen vacancies
Resistive switching
Improving resistive switching effect by embedding gold nanoparticles into ferroelectric thin films
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2023, 卷号: 968, 页码: 7
作者:
Yue, Zhi Yun
;
Zhang, Zhi Dong
;
Wang, Zhan Jie
收藏
  |  
浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2024/01/08
PCZT thin films
Au nanoparticles
Ferroelectric polarization
Multi-level data storage
Resistive switching
Improvement of memristive switching of Pb(Zr
0.52
Ti
0.48
)O
3
/Nb:SrTiO
3
heterostructures via La doping
期刊论文
VACUUM, 2023, 卷号: 218, 页码: 11
作者:
Yue, Zhi Yun
;
Lin, Jun Liang
;
Bai, Yu
;
Zhang, Zhi Dong
;
Wang, Zhan Jie
收藏
  |  
浏览/下载:1/0
  |  
提交时间:2025/04/27
La-doped PZT
Ferroelectric heterostructures
Resistive switching behavior
Ferroelectric polarization
Oxygen vacancies
Improvement of memristive switching of Pb(Zr
0.52
Ti
0.48
)O
3
/Nb:SrTiO
3
heterostructures via La doping
期刊论文
VACUUM, 2023, 卷号: 218, 页码: 11
作者:
Yue, Zhi Yun
;
Lin, Jun Liang
;
Bai, Yu
;
Zhang, Zhi Dong
;
Wang, Zhan Jie
收藏
  |  
浏览/下载:1/0
  |  
提交时间:2025/04/27
La-doped PZT
Ferroelectric heterostructures
Resistive switching behavior
Ferroelectric polarization
Oxygen vacancies
Understanding and modulation of resistive switching behaviors in PbZr0.52Ti0.48O3/La0.67Sr0.33MnO3/Nb:SrTiO3 multilayer junctions
期刊论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2022, 卷号: 574, 页码: 11
作者:
Zheng, Hang Yu
;
Bai, Yu
;
Shao, Yan
;
Yu, Hai Yi
;
Chen, Bing
;
Lin, Jun Liang
;
Zhang, Fan
;
Wang, Chao
;
Wang, Zhan Jie
收藏
  |  
浏览/下载:124/0
  |  
提交时间:2022/07/01
Ferroelectric multilayer junction
Resistive switching
Ferroelectric field effect
Depletion layer width
Coupled Current Jumps and Domain Wall Creeps in a Defect-Engineered Ferroelectric Resistive Memory
期刊论文
ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2021, 页码: 10
作者:
Huang, Biaohong
;
Xie, Zhongshuai
;
Feng, Dingshuai
;
Li, Lingli
;
Li, Xiaoqi
;
Paudel, Tula R.
;
Han, Zheng
;
Hu, Weijin
;
Yuan, Guoliang
;
Wu, Tom
;
Zhang, Zhidong
收藏
  |  
浏览/下载:110/0
  |  
提交时间:2022/07/01
BiFeO3
current jump
domain wall creep
ferroelectric resistive switching
oxygen vacancy
space-charge-limited current
Resistive Switching Behavior in Ferroelectric Heterostructures
期刊论文
SMALL, 2019, 卷号: 15, 期号: 32, 页码: 13
作者:
Wang, Zhan Jie
;
Bai, Yu
收藏
  |  
浏览/下载:130/0
  |  
提交时间:2021/02/02
conductivity
ferroelectric heterostructures
ferroelectricity
resistive switching
Resistive Switching Behavior in Ferroelectric Heterostructures
期刊论文
SMALL, 2019, 卷号: 15, 期号: 32, 页码: 13
作者:
Wang, Zhan Jie
;
Bai, Yu
收藏
  |  
浏览/下载:102/0
  |  
提交时间:2021/02/02
conductivity
ferroelectric heterostructures
ferroelectricity
resistive switching
Resistive Switching and Modulation of Pb(Zr0.4Ti0.6)O-3/Nb:SrTiO3 Heterostructures
期刊论文
ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2016, 卷号: 8, 期号: 48, 页码: 32948-32955
作者:
Bai, Yu
;
Wang, Zhan Jie
;
Chen, Yan Na
;
Cui, Jian Zhong
收藏
  |  
浏览/下载:108/0
  |  
提交时间:2021/02/02
ferroelectric heterostructures
resistive switching behaviors
ON/OFF ratio
ferroelectric polarization
interfacial built-in field