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Approach for defect suppression and preparation of high quality semi-insulating InP 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2005, 卷号: 275, 期号: 1-2, 页码: E381-E385
作者:  Zhao, Y. W.;  Dong, Z. Y.;  Li, Ch. J.
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Point defects  Liquid encapsulated Czochralski  Indium phosphide  Semi-insulating III-V materials  
Annealing and activation of silicon implanted in semi-insulating InP substrates 期刊论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2003, 卷号: 6, 期号: 4, 页码: 215-218
作者:  Dong, HW;  Zhao, YW;  Li, JM
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semi-insulating InP  ion implantation  silicon  annealing  activation  
Annealing and activation of silicon implanted in semi-insulating InP substrates 期刊论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2003, 卷号: 6, 期号: 4, 页码: 215-218
作者:  Dong, HW;  Zhao, YW;  Li, JM
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semi-insulating InP  ion implantation  silicon  annealing  activation  
Characterization of defects and whole wafer uniformity of annealed undoped semi-insulating InP wafers 期刊论文
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 2002, 卷号: 91, 页码: 521-524
作者:  Zhao, YW;  Sun, NF;  Dong, HW;  Jiao, JH;  Zhao, JQ;  Sun, TN;  Lin, LY
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indium phosphide  semi-insulating  annealing  PICTS  photoluminescence  
Fe-diffusion-induced defects in InP annealed in iron phosphide ambient 期刊论文
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS, 2002, 卷号: 41, 期号: 4A, 页码: 1929-1931
作者:  Zhao, YW;  Dong, HW;  Jiao, JH;  Zhao, JQ;  Lin, LY
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indium phosphide  annealing  semi-insulating  defect  diffusion  
Fe-diffusion-induced defects in InP annealed in iron phosphide ambient 期刊论文
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS, 2002, 卷号: 41, 期号: 4A, 页码: 1929-1931
作者:  Zhao, YW;  Dong, HW;  Jiao, JH;  Zhao, JQ;  Lin, LY
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indium phosphide  annealing  semi-insulating  defect  diffusion