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Metal–insulator transition in few-layered GaTe transistors 期刊论文
半导体学报:英文版, 2020, 卷号: 41.0, 期号: 007, 页码: 28-32
作者:  Xiuxin Xia;  Xiaoxi Li;  Hanwen Wang
收藏  |  浏览/下载：159/0  |  提交时间：2021/02/02
metal-insulator  transition  gate  tunable  GaTe  field  effect  transistors  
Metal–insulator transition in few-layered GaTe transistors 期刊论文
半导体学报:英文版, 2020, 卷号: 41.0, 期号: 007, 页码: 28-32
作者:  Xiuxin Xia;  Xiaoxi Li;  Hanwen Wang
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metal-insulator  transition  gate  tunable  GaTe  field  effect  transistors  
磁控溅射纳米PtSi薄膜表面和界面特征 会议论文
《半导体学报》第24卷 增刊第二届全国纳米技术与应用学术会议专刊, 宁波, 2002-11-28
作者:  殷景华;  蔡伟;  王明光;  郑玉峰;  李美成;  王培林;  赵连城
收藏  |  浏览/下载：138/0  |  提交时间：2013/08/21
表面形貌  界面结构  磁控溅射方法  硅化铂  纳米薄膜  
In_2O_3∶Sn和ZnO∶Al透明导电薄膜的结构及其导电机制 期刊论文
半导体学报, 2000, 期号: 4, 页码: 394-399
作者:  陈猛,白雪冬,黄荣芳,闻立时
收藏  |  浏览/下载：118/0  |  提交时间：2012/04/12
导电薄膜  In_2o_3∶sn  Zno∶al  结构  导电机制  
In2O3：Sn和ZnO：Al透明导电薄膜的结构及其导电机制 期刊论文
半导体学报, 2000, 卷号: 21.0, 期号: 004, 页码: 394-399
作者:  陈猛;  白雪冬;  黄荣芳;  闻立时
收藏  |  浏览/下载：98/0  |  提交时间：2021/02/26
导电薄膜  结构  导电机制  氧化锌  氧化铟  
二硫化钛电输运过程中的散射机制 期刊论文
半导体学报, 1985, 期号: 1, 页码: 25-31
作者:  陈昕,何青,王桢枢,周熙宁
收藏  |  浏览/下载：135/0  |  提交时间：2012/04/12
散射机制:6545  二硫化钛:4347  输运过程:3745  光学声子:2434  电阻率:2297  热电势率:2217  层型结构:1600  迁移率:1476  非化学计量:1433  散射模型:1142