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中频反应磁控溅射制备Al_2O_3:CeCl_3薄膜及其光致发光特性 期刊论文
稀有金属材料与工程, 2009, 期号: 4, 页码: 700-704
作者:  廖国进;  骆红;  闫绍峰;  巴德纯;  闻立时
收藏  |  浏览/下载：124/0  |  提交时间：2012/04/12
光致发光  Al2o3  薄膜  磁控溅射  Cecl3  
Photoluminescence of Al2O3:CeCl3 Films by Medium Frequency Reactive Magnetron Sputtering 期刊论文
RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERING, 2009, 卷号: 38, 期号: 4, 页码: 700-704
作者:  Liao Guojin;  Luo Hong;  Yan Shaofeng;  Ba Dechun;  Wen Lishi
收藏  |  浏览/下载：105/0  |  提交时间：2021/02/02
photoluminescence  Al2O3  thin films  magnetron sputtering  CeCl3  
掺杂浓度对中频反应磁控溅射制备Al_2O_3:Ce~(3+)薄膜发光性能的影响 期刊论文
真空, 2009, 期号: 2, 页码: 33-37
作者:  闫绍峰;  骆红;  廖国进;  巴德纯;  闻立时
收藏  |  浏览/下载：96/0  |  提交时间：2012/04/12
三氧化二铝薄膜  中频反应磁控溅射  掺杂浓度  光致发光  Ce  
掺杂浓度对中频反应磁控溅射制备Al_2O_3：Ce~(3+)薄膜发光性能的影响 期刊论文
功能材料与器件学报, 2007, 期号: 6, 页码: 543-548
作者:  廖国进;  巴德纯;  闻立时;  刘斯明;  阎绍峰
收藏  |  浏览/下载：99/0  |  提交时间：2012/04/12
三氧化二铝薄膜  中频反应磁控溅射  掺杂浓度  光致发光  Ce  
掺杂浓度对Al_2O_3:Ce~(3+)薄膜发光性能的影响 期刊论文
功能材料, 2007, 期号: 6, 页码: 872-875
作者:  廖国进;  巴德纯;  闻立时;  刘斯明;  阎绍峰
收藏  |  浏览/下载：126/0  |  提交时间：2012/04/12
三氧化二铝薄膜  磁控溅射  掺杂浓度  光致发光  Ce  
中频反应磁控溅射法制备Al2O3:Ce3+发光薄膜工艺条件优化 会议论文
真空冶金与表面工程--第八届真空冶金与表面工程学术会议论文集, 沈阳, 2007-06-16
作者:  廖国进;  巴德纯;  闻立时;  刘斯明;  阎绍峰
收藏  |  浏览/下载：111/0  |  提交时间：2013/08/21
磁控溅射  三氧化二铝  发光薄膜  正交试验  中频反应磁控溅射技术  
中频反应磁控溅射沉积Al_2O_3薄膜中迟滞回线的研究 期刊论文
真空, 2007, 期号: 3, 页码: 32-35
作者:  廖国进;  巴德纯;  闻立时;  刘斯明;  阎绍峰
收藏  |  浏览/下载：86/0  |  提交时间：2012/04/12
迟滞回线  反应溅射  中频溅射  氧化铝薄膜  
掺杂浓度对Al2O3：Ce^3＋薄膜发光性能的影响 期刊论文
功能材料, 2007, 卷号: 38.0, 期号: 006, 页码: 872-875
作者:  廖国进;  巴德纯;  闻立时;  刘斯明;  阎绍峰
收藏  |  浏览/下载：80/0  |  提交时间：2021/02/02
三氧化二铝薄膜  磁控溅射  掺杂浓度  光致  发光  Ce  
掺杂浓度对中频反应磁控溅射制备Al2O3：Ce^3＋薄膜发光性能的影响 期刊论文
功能材料与器件学报, 2007, 卷号: 13.0, 期号: 006, 页码: 543-548
作者:  廖国进;  巴德纯;  闻立时;  刘斯明;  阎绍峰
收藏  |  浏览/下载：99/0  |  提交时间：2021/02/02
三氧化二铝薄膜  中频反应磁控溅射  掺杂浓度  光致发光  Ce  
中频反应磁控溅射沉积Al2O3薄膜中迟滞回线的研究 期刊论文
真空, 2007, 卷号: 44.0, 期号: 003, 页码: 32-35
作者:  廖国进;  巴德纯;  闻立时;  刘斯明;  阎绍峰
收藏  |  浏览/下载：122/0  |  提交时间：2021/02/02
迟滞回线  反应溅射  中频溅射  氧化铝薄膜