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WOS被引频次降序
Deep level transient spectroscopic study of neutron-irradiated n-type 6H-SiC
期刊论文
Journal of Applied Physics, 2003, 卷号: 94, 期号: 5, 页码: 3004-3010
作者:
X. D. Chen
;
S. Fung
;
C. C. Ling
;
C. D. Beling
;
M. Gong
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提交时间:2012/04/14
6h Silicon-carbide
Positron-annihilation
Defect Centers
Gallium vacancy and the residual acceptor in undoped GaSb studied by positron lifetime spectroscopy and photoluminescence
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2002, 卷号: 80, 期号: 21, 页码: 3934-3936
作者:
Ling, CC
;
Mui, WK
;
Lam, CH
;
Beling, CD
;
Fung, S
;
Lui, MK
;
Cheah, KW
;
Li, KF
;
Zhao, YW
;
Gong, M
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提交时间:2021/02/02
Creation and suppression of point defects through a kick-out substitution process of Fe in InP
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2002, 卷号: 80, 期号: 16, 页码: 2878-2879
作者:
Zhao, YW
;
Dong, HW
;
Chen, YH
;
Zhang, YH
;
Jiao, JH
;
Zhao, JQ
;
Lin, LY
;
Fung, S
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浏览/下载:81/0
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提交时间:2021/02/02
Positron-annihilation study of compensation defects in InP
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2002, 卷号: 91, 期号: 4, 页码: 1998-2001
作者:
Shan, YY
;
Deng, AH
;
Ling, CC
;
Fung, S
;
Ling, CD
;
Zhao, YW
;
Sun, TN
;
Sun, NF
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提交时间:2021/02/02