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放电气体对ECR-PECVD法制备微晶硅薄膜的影响 期刊论文
材料研究学报, 2013, 期号: 3, 页码: 307-311
作者:  程华;  钱永产;  薛军;  吴爱民;  石南林
收藏  |  浏览/下载：160/0  |  提交时间：2013/12/25
材料合成与加工工艺  微晶硅薄膜  Ecr-pecvd  放电气体  
基片温度对微晶硅薄膜微观结构和光学性能的影响 期刊论文
材料研究学报, 2011, 期号: 4, 页码: 408-412
作者:  程华;  王萍;  崔岩;  吴爱民;  石南林
收藏  |  浏览/下载：103/0  |  提交时间：2012/04/12
材料合成与加工工艺  微晶硅薄膜  Ecr Pecvd  吸收系数  光学带隙  
用等离子体增强化学气相沉积制备微晶硅薄膜 期刊论文
材料研究学报, 2010, 期号: 5, 页码: 547-549
作者:  程华;  张昕;  张广城;  刘汝宏;  吴爱民;  石南林
收藏  |  浏览/下载：118/0  |  提交时间：2012/04/12
材料合成与加工工艺  微晶硅薄膜  Ar稀释sih_4  Ecr-pecvd  微波功率  
Effects of Substrate Temperature on the Growth of Polycrystalline Si Films Deposited with SiH4+Ar 期刊论文
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE & TECHNOLOGY, 2009, 卷号: 25, 期号: 4, 页码: 489-491
作者:  Cheng, Hua;  Wu, Aimin;  Xiao, Jinquan;  Shi, Nanlin;  Wen, Lishi
收藏  |  浏览/下载：80/0  |  提交时间：2021/02/02
Poly-Si films  ECR-PECVD  Substrate temperature  Ar-dilution  
Effects of Substrate Temperature on the Growth of Polycrystalline Si Films Deposited with SiH(4)+Ar 期刊论文
Journal of Materials Science & Technology, 2009, 卷号: 25, 期号: 4, 页码: 489-491
作者:  H. Cheng;  A. M. Wu;  J. Q. Xiao;  N. L. Shi;  L. S. Wen
Adobe PDF(282Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：83/0  |  提交时间：2012/04/13
Poly-si Films  Ecr-pecvd  Substrate Temperature  Ar-dilution  Chemical-vapor-deposition  Ar-diluted Sih4  Microcrystalline Silicon  Optical-properties  h Films  Plasma  Pecvd  Hydrogen  Silane  
Effect of Ar on Polycrystalline Si Films Deposited by ECR-PECVD using SiH4 期刊论文
Journal of Materials Science & Technology, 2008, 卷号: 24, 期号: 5, 页码: 690-692
作者:  H. Cheng;  A. M. Wu;  N. L. Shi;  L. S. Wen
Adobe PDF(1648Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：146/0  |  提交时间：2012/04/13
Ar Flow Rate  Ecr-pecvd  Poly-si  Thin Films  Chemical-vapor-deposition  Microcrystalline Silicon  Low-temperatures  Plasma  Growth  Transition  Hydrogen