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WOS被引频次降序
GROWTH OF HIGHLY (0002) ORIENTED InN FILMS ON AlInN/AlN BILAYER
期刊论文
Surface Review and Letters, 2013, 卷号: 20, 期号: 2
作者:
C. J. Dong
;
M. Xu
;
W. Lu
;
Q. Z. Huang
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浏览/下载:109/0
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提交时间:2013/12/24
Thin Films
Nitrides
Sputtering
Microstructure
Chemical-vapor-deposition
Molecular-beam Epitaxy
Optical-properties
Lattice-constants
Phase Epitaxy
Wurtzite Inn
Thin-films
Layers
Spectroscopy
Nitridation
Deposition and properties of highly c-oriented of InN films on sapphire substrates with ECR-plasma-enhanced MOCVD
期刊论文
RARE METALS, 2012, 卷号: 31, 期号: 2, 页码: 150-153
作者:
Qin Fuwen
;
Zhang Dong
;
Bai Yizhen
;
Ju Zhenhe
;
Li Shuangmei
;
Li Yucai
;
Pang Jiaqi
;
Bian Jiming
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浏览/下载:123/0
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提交时间:2021/02/02
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GROWTH
InN films
ECR-PEMOCVD
sapphire substrates
semiconductor devices
Growth of well-oriented Al(x)In(1-x)N films by sputtering at low temperature
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2009, 卷号: 479, 期号: 1-2, 页码: 812-815
作者:
C. J. Dong
;
M. Xu
;
Q. Y. Chen
;
F. S. Liu
;
H. P. Zhou
;
Y. Wei
;
H. X. Ji
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浏览/下载:132/0
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提交时间:2012/04/13
Al(x)In(1-x)n Film
Magnetron Sputtering
Crystallinity
Resistance
Molecular-beam Epitaxy
Fundamental-band Gap
Vapor-phase Epitaxy
Optical-properties
Energy
Alinn
Inn
Aln
Nanowires
Inxal1-xn
Structural, thermodynamic and electronic properties of zinc-blende AlN from first-principles calculations
期刊论文
Chinese Physics B, 2009, 卷号: 18, 期号: 3, 页码: 1207-1213
作者:
W. Zhang
;
Y. Cheng
;
J. Zhu
;
X. R. Chen
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浏览/下载:80/0
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提交时间:2012/04/13
Local Density Approximation (Lda)
Thermodynamic Properties
Band
Structure
Aln
Iii-v Nitrides
Elastic-constants
Molecular-dynamics
Ab-initio
Gan
Phase
Pressure
Inn
Bn
Semiconductors
First-principle calculations of elastic properties of Wurtzite-type aluminum nitride under pressure
期刊论文
Communications in Theoretical Physics, 2008, 卷号: 49, 期号: 2, 页码: 489-492
作者:
Y. L. Wang
;
H. L. Cui
;
B. R. Yu
;
X. R. Chen
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提交时间:2012/04/13
Density Functional Theory
Elastic Properties
W-aln
Rock-salt-type
Thermodynamic Properties
Electronic-structure
Aln
Constants
Crystals
Zincblende
Inn
Gan
Instabilities
Electronic and Optical Properties of Rock-Salt AlN under High Pressure via First-Principles Analysis
期刊论文
Communications in Theoretical Physics, 2008, 卷号: 50, 期号: 4, 页码: 990-994
作者:
W. Zhang
;
X. R. Chen
;
L. C. Cai
;
Q. Q. Gou
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浏览/下载:59/0
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提交时间:2012/04/13
Semiconductors
Electronic Band Structure
Optical Properties
Density
Functional Theory
Aluminum Nitride
Wurtzite
Zincblende
Gan
Films
Inn
First-principles calculations of structure and high pressure phase transition in gallium nitride
期刊论文
Chinese Physics, 2007, 卷号: 16, 期号: 12, 页码: 3772-3776
作者:
L. N. Tan
;
C. E. Hu
;
B. R. Yu
;
X. R. Chen
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浏览/下载:86/0
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提交时间:2012/04/13
Transition Phase
Generalized Gradient Approximation
Gan
Generalized Gradient Approximation
Density-functional Calculations
Iii-v Nitrides
Thermodynamic Properties
Elastic-constants
Epitaxial-growth
001 Silicon
Gan
Inn
Simulation
Elastic and thermodynamic properties of c-BN from first-principles calculations
期刊论文
Chinese Physics, 2007, 卷号: 16, 期号: 1, 页码: 217-222
作者:
Y. J. Hao
;
Y. Cheng
;
Y. J. Wang
;
X. R. Chen
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浏览/下载:88/0
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提交时间:2012/04/13
Elastic Constants
Thermodynamic Properties
Local Density
Approximation
C-bn
Cubic Boron-nitride
Superconducting Mgb2
Zincblende Bn
Constants
Phase
Aln
Gan
Transition
Pressure
Inn
Ab initio pseudopotential studies of the pressure dependences of structural, electronic and optical properties for GaN
期刊论文
Solid State Communications, Solid State Communications, 2006, 2006, 卷号: 138, 138, 期号: 10-11, 页码: 494-497, 494-497
作者:
G. Y. Gao
;
K. L. Yao
;
Z. L. Liu
;
Y. L. Li
;
Y. C. Li
;
Q. M. Liu
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浏览/下载:63/0
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提交时间:2012/04/13
Semiconductors
Semiconductors
Phase Transition
Phase Transition
Electronic Structure
Electronic Structure
Optical
Optical
Properties
Properties
Generalized Gradient Approximation
Generalized Gradient Approximation
Iii-v Nitrides
Iii-v Nitrides
Phase-transition
Phase-transition
Gallium Nitride
Gallium Nitride
Stability
Stability
Inn
Inn
Aln
Aln