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La_(1-x)Sr_xMnO_3(x=0.1,0.2,0.3)薄膜的微观结构 期刊论文
电子显微学报, 2004, 期号: 4, 页码: 405
作者:  朱银莲,张明,马秀良,李斗星
收藏  |  浏览/下载：101/0  |  提交时间：2012/04/12
微观结构:9258  中国科学院:1857  材料科学:1590  金属研究所:1443  国家实验室:1329  激光分子束外延:1037  脉冲激光沉积:978  点阵参数:950  微畴:880  高分辨电子显微镜:858  
SrIn_(0.1)Ti_(0.9)O_3/SrNb_(0.2)Ti_(0.8)O_3双层膜的微结构研究 期刊论文
电子显微学报, 2004, 期号: 4, 页码: 406
作者:  张明,马秀良,李斗星
收藏  |  浏览/下载：62/0  |  提交时间：2012/04/12
微结构研究:7309  双层膜:4937  钙钛矿结构:1982  Srtio3:1945  材料科学:1683  金属氧化物:1675  中国科学院:1572  金属研究所:1528  激光分子束外延:1464  入射电子束:1373  
SrIn<,0.1>Ti<,0.9>O<,3>/SrNb<,0.2>Ti<,0.8>O<,3>双层膜的微结构研究 会议论文
电子显微学报/2004.4, 威海, 2004-08-20
作者:  张明;  马秀良;  李斗星
收藏  |  浏览/下载：101/0  |  提交时间：2013/08/21
微结构  金属氧化物多层膜  分子束外延  电子显微镜  
La<,1-x>Sr<,x>MnO<,3>(x=0.1,0.2,0.3)薄膜的微观结构 会议论文
电子显微学报/2004.4, 威海, 2004-08-20
作者:  朱银莲;  张明;  马秀良;  李斗星
收藏  |  浏览/下载：75/0  |  提交时间：2013/08/21
La<  1-x>sr<  微观结构  X>mno<  电子显微镜  3>薄膜  分子束外延技术  
分子束外延生长GaN薄膜中的一种早期位错结构 期刊论文
物理学报, 1998, 期号: 11, 页码: 99-102
作者:  王绍青,刘全朴,叶恒强
收藏  |  浏览/下载：66/0  |  提交时间：2012/04/12
外延生长:6883  Gan薄膜:3266  分子束外延:3157  原子像:2762  晶体缺陷:2559  高分辨率电子显微镜:2280  位错结构:2195  缺陷结构:1988  刃型:1409  电子显微术:1354  
六角GaN薄膜中的晶体缺陷结构研究 期刊论文
电子显微学报, 1998, 期号: 5, 页码: 85-86
作者:  王绍青,刘全朴,王元明
收藏  |  浏览/下载：80/0  |  提交时间：2012/04/12
晶体缺陷:6491  Gan薄膜:5257  分子束外延:2966  原子像:2587  高分辨:2548  位错结构:1896  电子显微镜:1364  刃型:1099  外延生长:895  缺陷结构:872  
InSb/GaAs界面的高分辨电镜研究 期刊论文
电子显微学报, 1993, 期号: 2, 页码: 146
作者:  孟祥敏;  曾一平;  胡魁毅;  吴玉琨
收藏  |  浏览/下载：78/0  |  提交时间：2012/04/12
分子束外延法:4080  错配度:3919  高质量薄膜:3563  界面区:3438  电子平均自由程:3198  电子衍射图:2991  外延生长:2527  光电器件:2501  高分辨象:2498  取向:2324  
热解氮化硼坩埚的研制及其在分子束外延中的应用 期刊论文
硅酸盐通报, 1986, 期号: 5, 页码: 28-33
作者:  赵凤鸣;  黄运衡
收藏  |  浏览/下载：76/0  |  提交时间：2012/04/12
分子束外延:7080  氮化硼:3372  真空性能:3096  物理和化学性能:2656  七十年:2046  热解:2038  六十年代:1912  陶瓷材料:1835  单晶薄膜:1815  喷射炉:1784  
热解氮化硼在分子束外延中的应用 期刊论文
真空科学与技术, 1985, 期号: 4, 页码: 59-62
作者:  黄运衡;  赵凤鸣
收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2012/04/12
分子束外延生长:7211  氮化硼:4324  热解:2616  纯度:2045  真空性能:1927  陶瓷材料:1824  源材料:1781  单晶薄膜:1763  高纯石墨:1681  火花源质谱:1449  
热解氮化硼(PBN)坩埚的研制及在分子束外延中的应用 期刊论文
稀有金属, 1985, 期号: 1, 页码: 1-3
作者:  赵凤呜,黄运衡
收藏  |  浏览/下载：168/0  |  提交时间：2012/04/12
分子束外延:9068  氮化硼:3656  热解:876  工艺流程:861  坩埚:772  单晶薄膜:708  载流子浓度:699  新型陶瓷材料:695  液相外延:652  电子迁移率:627