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芯片级封装互连体在电流作用下的损伤行为 期刊论文
沈阳航空航天大学学报, 2013, 期号: 5, 页码: 54-59
作者:  郑凯;  刘春忠;  刘志权
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微电子封装  失效  电迁移  孔洞  熔断  
掺杂钨丝熔断过程的研究 期刊论文
金属学报, 1982, 期号: 5, 页码: 540-543+635-636
作者:  钱知强,王素兰
收藏  |  浏览/下载:104/0  |  提交时间:2012/04/12
温度过高:6464  掺杂钨丝:4092  表面张力:2897  钾原子:2893  温度梯度:2800  大孔洞:2378  表面能:1692  实验:1682  熔断:1678  空位:1634