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First-principles calculation of crystalline materials genome: a preliminary study 期刊论文
Chinese Science Bulletin, 2014, 卷号: 59, 期号: 15, 页码: 1624-1634
作者:  S. Q. Wang;  H. Q. Ye
收藏  |  浏览/下载：118/0  |  提交时间：2014/07/03
Materials Genome  First-principles Calculation  Crystalline Material  Physical Property  Density-functional Theory  Density-functional Theory  Iii-v Compounds  Lonsdaleite Phases  Elastic  Properties  Lattice-dynamics  Semiconductors  Pressure  Principles  Stability  Solids  
Ge-70 nanocrystals in SiO2 films under neutron irradiation: A Raman and photoluminescence study 期刊论文
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B-Beam Interactions with Materials and Atoms, 2012, 卷号: 286, 页码: 287-290
作者:  L. Fan;  T. Lu;  Q. Chen;  Y. Hu;  S. Dun;  Q. Hu;  C. You;  S. Zhang;  B. Tang;  J. Dai
收藏  |  浏览/下载：104/0  |  提交时间：2013/02/05
Ion-implantation  Neutron Irradiation  Nanocrystalline Materials  Photoluminescence  Ge Nanocrystals  Sio2 Matrix  Semiconductors  Crystalline  Mechanism  Spectra  
CONTROLLING THE SCHOTTKY-BARRIER HEIGHT OF TI/N-GAAS SCHOTTKY DIODE CONTAINING HYDROGEN BY BIASED ANNEALING 期刊论文
Science in China Series a-Mathematics Physics Astronomy, 1994, 卷号: 37, 期号: 6, 页码: 730-737
作者:  S. X. Jin;  M. H. Yuan;  L. P. Wang;  H. Z. Song;  H. P. Wang;  G. G. Qin
收藏  |  浏览/下载：74/0  |  提交时间：2012/04/14
Schottky Barrier (Sb)  Metal-semiconductor (Ms) Interfaces  Hydrogen  Zero Bias Annealing (Zba)  Reverse Bias Annealing (Rba)  Unified Defect Model  Crystalline Semiconductors  States  
EFFECT OF BIAS ANNEALING ON AU/N-SI SCHOTTKY-BARRIER WITH HYDROGEN INCORPORATION 期刊论文
Journal of Applied Physics, 1994, 卷号: 76, 期号: 9, 页码: 5592-5594
作者:  M. H. Yuan;  Y. Q. Jia;  G. G. Qin
收藏  |  浏览/下载：124/0  |  提交时间：2012/04/14
N-type Gaas  Crystalline Semiconductors  Ti/n-gaas  States  Diodes  
DEEP LEVELS IN GAMMA-RAY IRRADIATED N-TYPE AND P-TYPE HYDROGEN-GROWN FLOAT-ZONED SILICON 期刊论文
Journal of Applied Physics, 1992, 卷号: 71, 期号: 3, 页码: 1182-1188
作者:  M. H. Yuan;  D. C. Peng;  Q. Z. Peng;  Y. H. Zhang;  J. Q. Li;  G. G. Qin
收藏  |  浏览/下载：90/0  |  提交时间：2012/04/14
Crystalline Semiconductors  Defects  
EFFECTS OF HYDROGEN ON THE SCHOTTKY-BARRIER OF TI/N-GAAS DIODES 期刊论文
Journal of Applied Physics, 1992, 卷号: 71, 期号: 1, 页码: 536-538
作者:  S. X. Jin;  L. P. Wang;  M. H. Yuan;  J. J. Chen;  Y. Q. Jia;  G. G. Qin
收藏  |  浏览/下载：113/0  |  提交时间：2012/04/14
Crystalline Semiconductors  Si  
NEGATIVE CHARGE STATE OF HYDROGEN SPECIES IN N-TYPE GAAS 期刊论文
Applied Physics Letters, 1991, 卷号: 58, 期号: 9, 页码: 925-927
作者:  M. H. Yuan;  L. P. Wang;  S. X. Jin;  J. J. Chen;  G. G. Qin
收藏  |  浏览/下载：68/0  |  提交时间：2012/04/14
Crystalline Semiconductors  Silicon  Diodes