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Amorphous Phosphorus-Doped Cobalt Sulfide Modified on Silicon Pyramids for Efficient Solar Water Reduction 期刊论文
ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2018, 卷号: 10, 期号: 43, 页码: 37142-37149
作者:  Chen, Chih-Jung;  Liu, Chi-Wei;  Yang, Kai-Chih;  Yin, Li-Chang;  Wei, Da-Hua;  Hu, Shu-Fen;  Liu, Ru-Shi
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water reduction  hydrogen evolution reaction  co-catalyst  P-doped cobalt sulfide  Si pyramids  
Ultraviolet electroluminescence from ZnO-based light-emitting diode with p-ZnO:N/n-GaN:Si heterojunction structure 期刊论文
Journal of Luminescence, 2011, 卷号: 131, 期号: 4, 页码: 825-828
作者:  J. C. Sun;  Q. J. Feng;  J. M. Bian;  D. Q. Yu;  M. K. Li;  C. R. Li;  H. W. Liang;  J. Z. Zhao;  H. Qiu;  G. T. Du
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P-zno:N/n-gan:Si Hererojunction  Led  Uv Electroluminescence  Mocvd  Chemical-vapor-deposition  Zinc-oxide  N-zno  Nitrogen  Films  Fabrication  Substrate  
Structure and photoluminescence properties of the quasi-regular arrangements of porous silicon 期刊论文
Optoelectronics and Advanced Materials-Rapid Communications, 2011, 卷号: 5, 期号: 5-6, 页码: 495-498
作者:  T. Wang;  X. Li;  W. Feng;  W. Li;  C. Tao;  J. Wen
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Porous Silicon  Electrochemical Anodization  Quasi-regular Arrangement  Photoluminescence  P-type Silicon  Macroporous Silicon  Si Substrate  Alumina  
4 MeV electron irradiation effect on electroluminesencence from Au/SiO2/p-Si and Au/Si-rich SiO2/p-Si structures 期刊论文
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B-Beam Interactions with Materials and Atoms, 2001, 卷号: 173, 期号: 3, 页码: 299-303
作者:  G. Z. Ran;  W. C. Qin;  Z. C. Ma;  W. H. Zong;  G. G. Qin
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Porous Silicon  Visible Electroluminescence  Quantum Efficiency  Si  Structure  P-si  Oxide  Photoluminescence  Films  
Enhancing electroluminescence from Au/nanoscale Si-rich SiO2 film/p-Si by doping Al into the SiO2 film and gamma-ray irradiation 期刊论文
Journal of Luminescence, 2001, 卷号: 93, 期号: 1, 页码: 75-80
作者:  G. Z. Ran;  S. T. Wang;  J. S. Fu;  Z. C. Ma;  W. H. Zong;  G. G. Qin
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Electroluminescence  Luminescence Center  Nanocrystalline  Irradiation  Doping  Porous Silicon  Visible Electroluminescence  P-si  Stability  
Influence of phosphine flow rate on Si growth rate in gas source molecular beam epitaxy 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 461-465
作者:  Gao, F;  Huang, DD;  Li, JP;  Lin, YX;  Kong, MY;  Sun, DZ;  Li, JM;  Lin, LY
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Si growth rate  P doping  PH3 flow rate  P segregation  GSMBE  
Influence of phosphine flow rate on Si growth rate in gas source molecular beam epitaxy 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 461-465
作者:  Gao, F;  Huang, DD;  Li, JP;  Lin, YX;  Kong, MY;  Sun, DZ;  Li, JM;  Lin, LY
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Si growth rate  P doping  PH3 flow rate  P segregation  GSMBE  
Electroluminescence from semitransparent au film/nanometer SiO2/nanometer Si/nanometer SiO2/n(+)-Si structure under reverse bias 期刊论文
Applied Physics Letters, 2000, 卷号: 77, 期号: 10, 页码: 1416-1418
作者:  C. L. Heng;  Y. K. Sun;  S. T. Wang;  Y. Chen;  Y. P. Qiao;  B. R. Zhang;  Z. C. Ma;  W. H. Zong;  G. G. Qin
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Porous Silicon  Visible Electroluminescence  P-si  Band  
Doping during low-temperature growth of materials for n-p-n Si/SiGe/Si heterojuction bipolar transistor by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2000, 卷号: 208, 期号: 1-4, 页码: 322-326
作者:  Liu, JP;  Huang, DD;  Li, JP;  Lin, YX;  Sun, DZ;  Kong, MY
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n-type doping  p-type doping  Si/SiGe  HBT  GSMBE  
High phosphorous doping and morphological evolution during Si growth by gas source molecular beam epitaxy (GSMBE) 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1999, 卷号: 200, 期号: 3-4, 页码: 613-616
作者:  Liu, JP;  Huang, DD;  Li, JP;  Sun, DZ;  Kong, MY
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Si low-temperature epitaxy  P doping  surface morphology  morphological evolution