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The nucleation and growth mechanism of Ni-Sn eutectic in a single crystal superalloy 期刊论文
ELSEVIER SCIENCE BV, 2017, 卷号: 479, 页码: 75-82
作者:  Jiang, Weiguo;  Wang, Li;  Li, Xiangwei;  Lou, Langhong;  Jiang, WG (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Met Res, Shenyang 110016, Liaoning, Peoples R China.
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Crystal Structure  Growth From Melt  Solid Phase Epitaxy  Alloys  
Growth of topological crystalline insulator SnTe thin films on Si(111). substrate by molecular beam epitaxy 期刊论文
Surface Science, 2014, 卷号: 621, 页码: 104-108
作者:  C. H. Yan;  H. Guo;  J. Wen;  Z. D. Zhang;  L. L. Wang;  K. He;  X. C. Ma;  S. H. Ji;  X. Chen;  Q. K. Xue
收藏  |  浏览/下载：164/0  |  提交时间：2014/03/14
Topological Crystalline Insulator  Electronic Structure  Molecular Beam  Epitaxy  Scanning Tunneling Microscopy  Angle-resolved Photoemission  Spectroscopy  Experimental Realization  Bi2se3  Bi2te3  Phase  
Origin of Yellow-Band Emission in Epitaxially Grown GaN Nanowire Arrays 期刊论文
Acs Applied Materials & Interfaces, 2014, 卷号: 6, 期号: 16, 页码: 14159-14166
作者:  B. D. Liu;  F. Yuan;  B. Dierre;  T. Sekiguchi;  S. Zhang;  Y. K. Xu;  X. Jiang
收藏  |  浏览/下载：134/0  |  提交时间：2015/01/14
Gan  Nanowire Arrays  Epitaxial Growth  Interface  Yellow-band Emission  Vapor-phase Epitaxy  Gallium Nitride  Spatial-distribution  Luminescence  Carbon  Cathodoluminescence  Microstructure  Nanodevices  Fabrication  Mechanism  
Synthesis, Microstructure, and Cathodoluminescence of 0001 -Oriented GaN Nanorods Grown on Conductive Graphite Substrate 期刊论文
Acs Applied Materials & Interfaces, 2013, 卷号: 5, 期号: 22, 页码: 12066-12072
作者:  F. Yuan;  B. D. Liu;  Z. E. Wang;  B. Yang;  Y. Yin;  B. Dierre;  T. Sekiguchi;  G. F. Zhang;  X. Jiang
收藏  |  浏览/下载：110/0  |  提交时间：2014/02/19
Gan  Nanorods  Graphite  Crystallography  Cathodoluminescence  Vapor-phase Epitaxy  Nanowire Arrays  Piezoelectric Nanogenerators  Yellow Luminescence  Zinc-oxide  Photoluminescence  Nanostructures  Deposition  Mechanism  Graphene  
GROWTH OF HIGHLY (0002) ORIENTED InN FILMS ON AlInN/AlN BILAYER 期刊论文
Surface Review and Letters, 2013, 卷号: 20, 期号: 2
作者:  C. J. Dong;  M. Xu;  W. Lu;  Q. Z. Huang
收藏  |  浏览/下载：109/0  |  提交时间：2013/12/24
Thin Films  Nitrides  Sputtering  Microstructure  Chemical-vapor-deposition  Molecular-beam Epitaxy  Optical-properties  Lattice-constants  Phase Epitaxy  Wurtzite Inn  Thin-films  Layers  Spectroscopy  Nitridation  
Wurtzite P-Doped GaN Triangular Microtubes as Field Emitters 期刊论文
Journal of Physical Chemistry C, 2010, 卷号: 114, 期号: 21, 页码: 9627-9633
作者:  L. T. Fu;  Z. G. Chen;  D. W. Wang;  L. N. Cheng;  H. Y. Xu;  J. Z. Liu;  H. T. Cong;  G. Q. Lu;  J. Zou
Adobe PDF(2868Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：132/0  |  提交时间：2012/04/13
Gallium Nitride Nanowires  Vapor-phase Epitaxy  Emission Properties  Optical-properties  Carbon Nanotubes  Cross-sections  Growth  Cathodoluminescence  Nanorods  Heterostructures  
Growth of well-oriented Al(x)In(1-x)N films by sputtering at low temperature 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2009, 卷号: 479, 期号: 1-2, 页码: 812-815
作者:  C. J. Dong;  M. Xu;  Q. Y. Chen;  F. S. Liu;  H. P. Zhou;  Y. Wei;  H. X. Ji
Adobe PDF(297Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：132/0  |  提交时间：2012/04/13
Al(x)In(1-x)n Film  Magnetron Sputtering  Crystallinity  Resistance  Molecular-beam Epitaxy  Fundamental-band Gap  Vapor-phase Epitaxy  Optical-properties  Energy  Alinn  Inn  Aln  Nanowires  Inxal1-xn  
Growth of GaN single crystals by Ca(3)N(2) flux 期刊论文
Scripta Materialia, 2008, 卷号: 58, 期号: 4, 页码: 319-322
作者:  G. Wang;  W. X. Yuan;  J. K. Jian;  H. Q. Bao;  J. F. Wang;  X. L. Chen;  J. K. Liang
Adobe PDF(336Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：77/0  |  提交时间：2012/04/13
Calphad  Single Crystal Growth  Nitride  Vapor-phase Epitaxy  Iii-v Nitrides  Bulk Gan  Thermodynamic Assessment  Na Flux  Pressure  Gallium  System  Mechanism  Devices  
Transition phase and thermodynamic properties of GaN via first-principles calculations 期刊论文
Solid State Communications, 2005, 卷号: 136, 期号: 3, 页码: 152-156
作者:  L. Y. Lu;  X. R. Chen;  Y. Cheng;  J. Z. Zhao
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Gan  Thermodynamic Properties  Transition Phase  Generalized Gradient Approximation  Molecular-beam Epitaxy  Iii-v  Nitrides  Gallium Nitride  High-pressure  Plane-wave  Stability  Wurtzite  Growth  Pseudopotentials  
Transition phase and thermodynamic properties of GaN via first-principles calculations 期刊论文
Solid State Communications, 2005, 卷号: 136, 期号: 3, 页码: 152-156
作者:  L. Y. Lu;  X. R. Chen;  Y. Cheng;  J. Z. Zhao
收藏  |  浏览/下载：75/0  |  提交时间：2012/05/17
Gan  Thermodynamic Properties  Transition Phase  Generalized Gradient Approximation  Molecular-beam Epitaxy  Iii-v  Nitrides  Gallium Nitride  High-pressure  Plane-wave  Stability  Wurtzite  Growth  Pseudopotentials