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Structure and photoluminescence properties of the quasi-regular arrangements of porous silicon 期刊论文
Optoelectronics and Advanced Materials-Rapid Communications, 2011, 卷号: 5, 期号: 5-6, 页码: 495-498
作者:  T. Wang;  X. Li;  W. Feng;  W. Li;  C. Tao;  J. Wen
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Porous Silicon  Electrochemical Anodization  Quasi-regular Arrangement  Photoluminescence  P-type Silicon  Macroporous Silicon  Si Substrate  Alumina  
How thick SiO(2) cap layer is needed to achieve strong visible photoluminescence from SiO(2)-buffered SiN(x) films? 期刊论文
Physica E-Low-Dimensional Systems & Nanostructures, 2010, 卷号: 42, 期号: 8, 页码: 2016-2020
作者:  M. Xu;  Q. Y. Chen;  S. Xu;  K. Ostrikov;  Y. Wei;  Y. C. Ee
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Sinx Film  Sio(2)  Annealing  Photoluminescence  Silicon Oxynitride  Si0.7ge0.3 Layers  Defect Spectrum  Nanostructures  Luminescence  Morphology  Devices  Origin  Growth  
Photoluminescence study of Ge nanocrystals irradiated by reactor neutron flux 期刊论文
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B-Beam Interactions with Materials and Atoms, Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B-Beam Interactions with Materials and Atoms, 2007, 2007, 卷号: 264, 264, 期号: 2, 页码: 272-276, 272-276
作者:  S. B. Dun;  T. C. Lu;  Q. Hu;  Y. W. Hu;  C. F. You;  S. B. Zhang;  B. Tang;  J. L. Dai;  N. K. Huang
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Ge Nanocrystals  Ge Nanocrystals  Neutron Transmutation Doping  Neutron Transmutation Doping  Photoluminescence  Photoluminescence  Raman  Raman  Scattering  Scattering  Doped Si Nanocrystals  Doped Si Nanocrystals  Electron-spin-resonance  Electron-spin-resonance  Semiconductor  Semiconductor  Nanocrystals  Nanocrystals  N-type  N-type  Implanted Sio2-films  Implanted Sio2-films  Silicon Nanocrystals  Silicon Nanocrystals  Porous  Porous  Silicon  Silicon  Raman  Raman  Luminescence  Luminescence  Temperature  Temperature  
Ge nano-layer fabricated by high-fluence low-energy ion implantation 期刊论文
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B-Beam Interactions with Materials and Atoms, 2006, 卷号: 250, 页码: 183-187
作者:  T. C. Lu;  S. B. Dun;  Q. Hu;  S. B. Zhang;  Z. An;  Y. M. Duan;  S. Zhu;  Q. M. Wei;  L. M. Wang
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Ge Nano-layer  Ion implantatIon  Laser Raman Scattering  Photoluminescence  Transmission Electron Microscopy  X-ray Diffraction  Sio2 Film  Nanocrystals  Photoluminescence  Sio2-films  Emission  Si1-xgex  Matrix  Growth  Silica  Blue  
Effects of annealing and dopant concentration on the optical characteristics of ZnO : Al thin films by sol-gel technique 期刊论文
Physica B-Condensed Matter, 2006, 卷号: 382, 期号: 1-2, 页码: 201-204
作者:  S. W. Xue;  X. T. Zu;  W. G. Zheng;  M. Y. Chen;  X. Xiang
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Zno Thin Films  Pl  Sol-gel  Annealing  Absorption Spectra  Transmittance  Oxide-films  Photoluminescence  Green  Enhancement  Ultraviolet  Substrate  Emissions  Oxidation  Si  
Catalystless synthesis of crystalline Si3N4/amorphous SiO2 nanocables from silicon substrates and N-2 期刊论文
Chemical Physics Letters, 2004, 卷号: 384, 期号: 1-3, 页码: 94-97
作者:  G. Z. Ran;  L. P. You;  L. Dai;  Y. L. Liu;  Y. Lv;  X. S. Chen;  G. G. Qin
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Nitride Nanowires  Porous Silicon  Temperature  Alpha-si3n4  Growth  Si3n4  Photoluminescence  Mechanism  Fibers  Oxide  
Increasing the photoluminescence intensity of Ge islands by chemical etching 期刊论文
CHINESE PHYSICS, 2001, 卷号: 10, 期号: 10, 页码: 966-969
作者:  Gao, F;  Huang, CJ;  Huang, DD;  Li, JP;  Kong, MY;  Zeng, YP;  Li, JM;  Lin, LY
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Ge islands  chemical etching  photoluminescence  Si2H6-Ge molecular beam epitaxy  
Increasing the photoluminescence intensity of Ge islands by chemical etching 期刊论文
CHINESE PHYSICS, 2001, 卷号: 10, 期号: 10, 页码: 966-969
作者:  Gao, F;  Huang, CJ;  Huang, DD;  Li, JP;  Kong, MY;  Zeng, YP;  Li, JM;  Lin, LY
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Ge islands  chemical etching  photoluminescence  Si2H6-Ge molecular beam epitaxy  
Room-temperature 1.54 mu m electroluminescence from Er-doped silicon-rich silicon oxide films deposited on n(+)-Si substrates by magnetron sputtering 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2001, 卷号: 90, 期号: 11, 页码: 5835-5837
作者:  G. Z. Ran;  Y. Chen;  W. C. Qin;  J. S. Fu;  Z. C. Ma;  W. H. Zong;  H. Lu;  J. Qin;  G. G. Qin
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Molecular-beam Epitaxy  Erbium  Si  Photoluminescence  Diodes  
The role of silicon oxide layers in luminescence of ensembles of silicon quantum dots 期刊论文
Communications in Theoretical Physics, 2001, 卷号: 35, 期号: 3, 页码: 371-380
作者:  S. H. Wang;  G. Y. Qin;  S. F. Ren;  G. G. Qin
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Silicon Oxide Layer  Quantum Dot  Luminescence  Porous Silicon  Si Nanocrystals  Photoluminescence  Mechanism  States  Electroluminescence  Sio2-films  Films  Dlts