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A viable approach to prepare 3C-SiC coatings by thermal MOCVD using commercial grade precursors 期刊论文
JOURNAL OF THE EUROPEAN CERAMIC SOCIETY, 2022, 卷号: 42, 期号: 11, 页码: 4456-4464
作者:  Liu, Housheng;  Tariq, Naeem ul Haq;  Jing, Weichen;  Cui, Xinyu;  Tang, Mingqiang;  Xiong, Tianying
收藏  |  浏览/下载：99/0  |  提交时间：2022/07/14
HMDSO  MOCVD  SiC  Thermal reduction  
Tuning mechanical and corrosion performance of SiOC glass coatings prepared by thermal MOCVD 期刊论文
JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, 2022, 卷号: 579, 页码: 7
作者:  Liu, Housheng;  Tariq, Naeem ul Haq;  Jing, Weichen;  Cui, Xinyu;  Tang, Mingqiang;  Xiong, Tianying
收藏  |  浏览/下载：108/0  |  提交时间：2022/07/01
SiOC coatings  MOCVD  Hardness and modulus  HF etch resistance  
Preparation and Formation Mechanism of Highly Dispersed Manganese Silicide on Silica by MOCVD of Mn(CO)(5)SiCl3 期刊论文
Chemical Vapor Deposition, 2013, 卷号: 19, 期号: 1-3, 页码: 68-73
作者:  J. C. Guan;  J. H. Jin;  X. Chen;  B. S. Zhang;  D. S. Su;  C. H. Liang
收藏  |  浏览/下载：138/0  |  提交时间：2013/12/24
Formation Mechanism  In-situ Ftir  Manganese Silicide  Mn(Co)(5)Sicl3  Mocvd  Chemical-vapor-deposition  Nanowires  Films  Fe(Co)(4)(Sicl3)(2)  Semihydrogenation  Precursor  Phase  Fesi  
Ultraviolet electroluminescence from ZnO-based light-emitting diode with p-ZnO:N/n-GaN:Si heterojunction structure 期刊论文
Journal of Luminescence, 2011, 卷号: 131, 期号: 4, 页码: 825-828
作者:  J. C. Sun;  Q. J. Feng;  J. M. Bian;  D. Q. Yu;  M. K. Li;  C. R. Li;  H. W. Liang;  J. Z. Zhao;  H. Qiu;  G. T. Du
收藏  |  浏览/下载：98/0  |  提交时间：2012/04/13
P-zno:N/n-gan:Si Hererojunction  Led  Uv Electroluminescence  Mocvd  Chemical-vapor-deposition  Zinc-oxide  N-zno  Nitrogen  Films  Fabrication  Substrate  
An internally-matched GaN HEMTs device with 45.2 W at 8 GHz for X-band application 期刊论文
SOLID-STATE ELECTRONICS, 2009, 卷号: 53, 期号: 3, 页码: 332-335
作者:  Wang, X. L.;  Chen, T. S.;  Xiao, H. L.;  Tang, J.;  Ran, J. X.;  Zhang, M. L.;  Feng, C.;  Hou, Q. F.;  Wei, M.;  Jiang, L. J.;  Li, J. M.;  Wang, Z. G.
收藏  |  浏览/下载：75/0  |  提交时间：2021/02/02
AlGaN/AlN/GaN  HEMT  MOCVD  SiC substrate  Power device  
Heteroepitaxial growth of LaAlO3 films on Si (100) by laser molecular beam epitaxy 期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2004, 卷号: 271, 期号: 1-2, 页码: 165-170
作者:  W. F. Xiang;  H. B. Lu;  Z. H. Chen;  X. B. Lu;  M. He;  H. Tian;  Y. L. Zhou;  C. R. Li;  X. L. Ma
收藏  |  浏览/下载：156/0  |  提交时间：2012/04/14
Annealing  Reflection High-energy Electron Diffraction  X-ray  Diffraction  Epitaxial Growth  Laser Molecular Beam Epitaxy  Laalo3 Film  Thin-films  Buffer Layers  In-situ  Srtio3  Si(100)  Deposition  Silicon  Mocvd  
A theoretical study on various models for the domain boundaries in epitaxial GaN films 期刊论文
Applied Physics a-Materials Science & Processing, 2000, 卷号: 70, 期号: 4, 页码: 475-480
作者:  S. Q. Wang;  Y. M. Wang;  H. Q. Ye
收藏  |  浏览/下载：106/0  |  提交时间：2012/04/14
Molecular-beam Epitaxy  Defect Structure  Wurtzite Gan  Mocvd  Aln  
A novel crystal defect in epitaxial wurtzite gallium nitride film 期刊论文
Materials Letters, 1999, 卷号: 38, 期号: 3, 页码: 202-207
作者:  S. Q. Wang;  C. P. Liu
收藏  |  浏览/下载：75/0  |  提交时间：2012/04/14
Crystal Defect  Wurtzite Gan  Epitaxial Growth  High-resolution Electron  Microscopy  Molecular-beam Epitaxy  Electron-microscopy Characterization  Gan  Diffraction  Boundaries  Sapphire  Software  Growth  Domain  Mocvd