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Defect properties of as-grown and electron-irradiated Te-doped GaSb studied by positron annihilation 期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2011, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: 6
作者:  Li Hui;  Zhou Kai;  Pang Jingbiao;  Shao Yundong;  Wang Zhu;  Zhao Youwen
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Hole-injection mechanisms of organic light emitting diodes with Si anodes 期刊论文
Semiconductor Science and Technology, 2006, 卷号: 21, 期号: 6, 页码: 740-743
作者:  G. L. Ma;  G. Z. Ran;  W. Q. Zhao;  Y. H. Xu;  Y. P. Qiao;  B. R. Zhang;  L. Dai;  G. G. Qin
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Charge Injection  Silicon Anode  Metal  
Organic light-emitting diodes with n-type silicon anode 期刊论文
Semiconductor Science and Technology, 2005, 卷号: 20, 期号: 8, 页码: 761-764
作者:  G. Z. Ran;  Y. H. Xu;  G. L. Ma;  A. G. Xu;  Y. P. Qiao;  W. X. Chen;  G. G. Qin
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Enhanced Hole Injection  Indium Tin Oxide  Raman Laser  Devices  Buffer  
Fabrication and complete characterization of polarization insensitive 1310 nm InGaAsP-InP quantum-well semiconductor optical amplifiers 期刊论文
Semiconductor Science and Technology, 2004, 卷号: 19, 期号: 1, 页码: 120-126
作者:  J. Y. Jin;  D. C. Tian;  J. Shi;  T. N. Li
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Wavelength Conversion  Tensile  Transmission  Modulation  Lasers  Fiber  Gain  
Optimization of InGaAsP-InP tensile strained multiple quantum-well structures emitting at 1.34 mu m 期刊论文
Semiconductor Science and Technology, 2004, 卷号: 19, 期号: 6, 页码: 742-746
作者:  J. Y. Jin;  J. Shi;  D. C. Tian
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Differential Gain  Lasers  Amplifiers  1.3-mu-m  
Photoluminescence assessment of undoped semi-insulating InP wafers obtained by annealing in iron phosphide vapour 期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2002, 卷号: 17, 期号: 6, 页码: 570-574
作者:  Dong, HW;  Zhao, YW;  Lu, HP;  Jiao, JH;  Zhao, JQ;  Lin, LY
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Investigations of the electron paramagnetic resonance parameters and atomic positions for Co2+ ions in 3C-, 2H- and 4H-ZnS 期刊论文
Semiconductor Science and Technology, 2002, 卷号: 17, 期号: 5, 页码: 493-496
作者:  W. C. Zheng;  S. Y. Wu;  J. Zi
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Superposition Model  Polymorphic Zns  Crystal  Semiconductors  Spectra  Site  
Theoretical studies of the g factor of V3+ in III-V semiconductors 期刊论文
Semiconductor Science and Technology, 1999, 卷号: 14, 期号: 9, 页码: 883-885
作者:  W. C. Zheng;  S. Y. Wu;  W. Li
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Electron-paramagnetic-resonance  Transition-metal Impurities  Vanadium  Gaas  Crystal  Epr  Spectra  Cr2++  Gap  Inp  
The effect of electron effective mass mismatch on the electron-optical-phonon scattering rate in a quantum well structure 期刊论文
Semiconductor Science and Technology, 1997, 卷号: 12, 期号: 10, 页码: 1235-1239
作者:  Y. S. Zheng;  T. Q. Lu;  J. Liu;  W. H. Su
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Semiconductor  Gaas